技术特征：
技术总结
本发明提供一种屏蔽栅器件，本发明在深槽结构中引入栅电极及设于栅电极外围的应变介质层，应变介质层会对电子电流路径所在的半导体材料区域施加压缩应力，从而增加电子的迁移率，因此，在应变介质层中会形成电子积累层，致使在正向导通过程中电子电流流经导通电阻更低的路径，降低屏蔽栅器件的导通电阻；同时，体内场板与N‑漂移区形成横向电场，体内场板中掺入的负电荷可以进一步辅助耗尽N‑漂移区，使得电场分布更趋于矩形，提高击穿电压。
技术研发人员：李泽宏;杨梦琦;蒲小庆;王梁浩;任敏;张金平;高巍;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.21
技术公布日：2018.12.21