包括凹进的源极/漏极硅化物的半导体器件的制作方法

技术特征：

技术总结
栅极环绕场效应晶体管器件可包括多个纳米结构，所述纳米结构在衬底上方在场效应晶体管器件的沟道区中彼此间隔开。栅极电极可位于具有所述多个纳米结构的栅极环绕构造中且半导体图案可位于栅极电极的一侧上。半导体图案中的接触沟槽中的接触件与硅化物膜可在所述接触沟槽的侧壁上共形地延伸到沟道区中比所述多个纳米结构中最上纳米结构低的水平高度。

技术研发人员：李宪福;金哲性;玄尚镇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.08.22
技术公布日：2019.03.05