技术特征：
技术总结
实施方式的半导体存储装置具备基板、积层体、多个第1部件、以及至少一个第1绝缘部件。所述积层体具有多个电极层，这些电极层设置在所述基板上，在第1方向上相互分开而积层，且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸。所述第1部件设置在所述积层体内，且在所述第1方向及所述第2方向上延伸。所述第1绝缘部件设置在所述积层体内，且以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式，在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。
技术研发人员：小池豪;石原英恵
受保护的技术使用者：东芝存储器株式会社
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.07.16