技术特征：
技术总结
本发明涉及一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器件制备技术领域。包括PIN三层结构，底层为N型的碳化硅衬底，中间的I层为N型的碳化硅外延层，顶层为P型的碳化硅外延层。在P型层的上方表面分别有钝化保护层、减反射膜、欧姆接触以及引出线。N型衬底下方表面有欧姆接触，直接与电极焊盘相连。本发明选用了抗击穿、宽禁带、高量子转换效率的材料作为衬底，简化了加工工艺，成功制备了钝化层、欧姆接触，有效提高了探测器的灵敏度。
技术研发人员：王华;刘学明;王传敏
受保护的技术使用者：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.02.12