技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。优点：1）采用GaN代替AlN作为紫外光电阴极缓冲层，降低了缓冲层生长难度，提高了p型AlGaN发射层的晶体质量，有利于制备更高灵敏度的光电阴极；2）采用缓冲层激光分解技术，充分分解GaN层，实现衬底剥离，可以避免衬底和缓冲层对紫外入射光线的吸收，保证了光电发射层对紫外光线的高效探测；3）激光剥离的衬底可以重复使用，经济节约。
技术研发人员：罗伟科;李忠辉;陈鑫龙
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.01.22