1.一种存储器，其特征在于，包括：
多个存储单元，每一所述存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容器，以及多个所述存储单元呈阵列式排布，其中所述存储单元的阵列的行方向和所述第一方向构成一平面，所述存储单元的阵列的列方向垂直于所述平面；
多条位线，所述位线沿着所述行方向延伸，并且同一行中的多个所述环栅晶体管的漏区连接至同一所述位线；
多条字线，所述字线沿着所述列方向延伸，并且同一列中的多个所述环栅晶体管的栅极连接至同一所述字线。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述环栅晶体管还包括沿所述第一方向延伸的沟道，位于所述沟道一侧的源区，所述漏区位于所述沟道的另一侧，所述栅极环绕所述沟道构成环栅，所述位线与所述漏区远离所述沟道的一侧相连接。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，同一行中的多个所述环栅晶体管所对应的多个漏区相互连接并沿着所述行方向连续延伸。
4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述环栅晶体管还包括连接部，所述连接部与所述源区远离所述沟道的一侧相连接，且所述连接部与所述电容器相连接。
5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述沟道为包含硅和锗成分的纳米线沟道，所述栅极的材质包含二氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或二氧化铪，所述位线、所述字线以及所述连接部的材质均包含钨、钛、氮化钛、钴化钛、钛化硅或多晶硅。
6.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述电容器包含下电极板、介质层以及上电极板，所述下电极板呈u型并与所述连接部相连接。
7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述下电极板与所述连接部远离所述源区的侧表面相连接，且所述下电极板还与所述连接部的顶表面相连接。
8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所有的所述电容器的所述上电极板远离所述环栅晶体管的一端均相互连接，且连接至一金属板。
9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述金属板为钨板，所述介质层的材质包含氧化铝或氧化锆。
10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括位于相邻所述电容器以及相邻所述环栅晶体管之间的绝缘层。
11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述绝缘层的材质包含二氧化硅。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个存储单元，每一所述存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容，以及多个所述存储单元呈阵列式排布，其中所述存储单元的阵列的行方向和所述第一方向构成一平面，所述存储单元的阵列的列方向垂直于所述平面；
多条第一导体线，所述第一导体线沿着所述行方向延伸，并且同一行中的多个所述环栅晶体管所对应的多个漏区连接至同一所述第一导体线；
多条第二导体线，所述第二导体线沿着所述列方向延伸，并且同一列中的多个所述环栅晶体管的栅极连接至同一所述第二导体线。