存储类晶圆的抛光以及加工方法、存储类晶圆以及存储类芯片与流程

本发明涉及芯片生产加工
技术领域：
，具体而言，涉及一种存储类晶圆的抛光以及加工方法、存储类晶圆以及存储类芯片。
背景技术：
：目前超薄半导体晶圆正受到越来越广泛的关注。ic卡、射频识别(rfid)、闪存卡、3d叠层封装的基础工艺技术就是超薄圆片的加工和切割技术。它是将磨到100μm厚度以下的圆片，再切割成一个个芯片，由于圆片薄，翘曲大、脆性较强，在切割过程很容易崩裂，导致芯片的可靠性受到影响。因此需要超薄芯片具有较高的断裂强度。通过传统的干式抛光轮在不使用水、化学研磨液的条件下，对加工物实施镜面加工及消除应力加工，此方法已解决了逻辑类芯片的品质问题，但对于flash、ddr、memory芯片等存储类芯片，由于圆片薄，翘曲大、脆性较强，在整个芯片加工过程很容易崩裂，导致芯片的可靠性受到影响，当减薄厚度达到100um以下(含100um)，使用现有的研磨+传统的干式抛光工艺，会产生芯片铜离子污染问题，直接影响芯片的良率和可靠性。技术实现要素：本发明的第一个目的在于提供一种存储类晶圆，其能够改善芯片铜离子污染问题，提高芯片的良率。本发明的第二个目的在于提供一种存储类晶圆的抛光方法，以通过简单的抛光工艺方法在保证晶圆具有较高的断裂强度下，改善芯片铜离子污染问题，提高芯片的良率。本发明的第三个目的在于提供一种存储类晶圆的加工方法，以通过简单的加工方法在保证晶圆具有较高的断裂强度下，改善芯片铜离子污染问题，提高芯片的良率。本发明的第四个目的在于提供一种存储类芯片，该芯片能够具有不容易被铜离子污染的特点。本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供了一种存储类晶圆，存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。可选地，存储类晶圆选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种。本发明还提供了一种存储类晶圆的抛光方法，其包括：将减薄至100μm以下的存储类晶圆的背面抛光至表面形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。可选地，上述存储类晶圆的抛光方法中，减薄后的存储类晶圆的背面是通过dpeg干式抛光轮进行抛光形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。可选地，上述存储类晶圆的抛光方法中，通过dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光通过多个步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。可选地，上述存储类晶圆的抛光方法中，dpeg干式抛光轮进行抛光时，下降时的进给速度为0.4～0.6μm/sec，上述存储类晶圆的抛光方法中，上升时的进给速度为0.9～1.1μm/sec。可选地，上述存储类晶圆的抛光方法中，通过dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为145～155sec。可选地，上述存储类晶圆的抛光方法中，采用的存储类晶圆选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种。本发明还提供了一种存储类晶圆的加工方法，其包括：将存储类晶圆背面依次通过粗磨、精磨减薄至100μm厚度以下；将减薄后的存储类晶圆的背面通过dpeg干式抛光轮抛光至形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，通过dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光通过多个步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。可选地，上述dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光过程中，下降时的进给速度为0.4～0.6μm/sec，上升时的进给速度为0.9～1.1μm/sec。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，通过dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为150sec。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，对存储类晶圆进行粗磨的粗磨研磨轮粒度为320#。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，进行粗磨时的主轴转速为3000～3400rpm，优选3100～3300rpm，更优选3150～3250rpm。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为3.8～4.2μm/sec，p2阶段的进给速度为2.8～3.2μm/sec，p3阶段的进给速度为0.8～1.2μm/sec。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，存储类晶圆粗磨时，p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，对粗磨后的存储类晶圆进行精磨的精磨研磨轮粒度为2000#或8000#。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，精磨通过p1～p3三个阶段进行，当精磨研磨轮粒度为2000#时，进行精磨时的主轴转速为3300～3600rpm，优选3300～3500rpm，更优选3400～3500rpm，p1阶段的进给速度为0.4μm/sec，p2阶段的进给速度为0.3μm/sec，p3阶段的进给速度为0.2μm/sec。可选地，精磨时，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。可选地，上述存储类晶圆的加工方法中，精磨通过p1～p3三个阶段进行，当精磨研磨轮粒度为8000#时，进行精磨时的主轴转速为1300～1500rpm，优选1300～1400rpm，更优选1350～1400rpm，p1～p3阶段的进给速度均为0.2μm/sec。可选地，上述存储类晶圆的加工方法还包括在进行粗磨之前在存储类晶圆的正面贴膜。可选地，进行正面贴膜的膜片选择的是e-8180hruv膜。可选地，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度10～30mm/s，筒压力a～e阶段均为28～32％。可选地，上述存储类晶圆的加工方法还包括在dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光后，对存储类晶圆背面进行清洗。可选地，上述存储类晶圆的加工方法还包括在清洗存储类晶圆背面后，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行绷膜贴片。可选地，在对存储类晶圆的背面进行绷膜贴片之前，先通过uv装置照射存储类晶圆的正面。可选地，上述存储类晶圆的加工方法还包括在对存储类晶圆的背面绷膜贴片后，揭除存储类晶圆正面的膜片。本发明还提供了一种存储类晶圆，其由上述任意一种存储类晶圆的抛光方法或任意一种存储类晶圆的加工方法得到。本发明还提供了一种存储类芯片，其包括上述存储类晶圆，该存储类晶圆的正面设置有电路元件结构层。本发明实施方式的有益效果为：通过将减薄至100μm以下的存储类晶圆的背面抛光至形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕，使得通过抛光的方法消除了存储类晶圆的应力，提高了其断裂强度，同时使得存储类晶圆表面还保留具有一定粗糙度的抛光痕，使得芯片含有的铜离子能够附着在抛光痕内，进而避免抛光后铜离子渗入芯片表面进行污染，提高了存储类芯片的良率和可靠性。附图说明为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为实施例1的晶圆样品在cu强制污染前以及污染扩散后在txrf分析下的检测图；图2为对比例8的晶圆样品在cu强制污染前以及污染扩散后在txrf分析下的检测图。具体实施方式为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施方式或实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。下面对本发明实施方式的存储类晶圆的抛光以及加工方法、存储类晶圆以及存储类芯片进行具体说明。本发明的一些实施方式提供了一种存储类晶圆，该存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。在将厚度小于或等于100μm的晶圆切割成一个个芯片时，由于圆片薄，翘曲大、脆性较强，在切割过程很容易崩裂，导致芯片的可靠性受到影响，因此，需要超薄的晶圆具备较高的断裂强度，从而当存储类晶圆减薄到小于或等于100μm时，需要通过抛光的方式，对晶圆背面进行加工以消除应力，以增强晶圆的断裂强度，来提高芯片的可靠性和良率。而本发明人通过将存储类晶圆的背面抛光至表面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕，其能够使得存储类晶圆具有较强的断裂强度的同时，切割形成的芯片由于具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕也能够具有防止抛光后铜离子渗入污染的优点。进一步地，一些实施方式中，存储类晶圆选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种，当然其他实施例中也可以选用其他存储类晶圆片。本发明的一些实施方式还提供了一种存储类晶圆的抛光方法，其包括：将减薄至100μm以下的存储类晶圆的背面抛光至表面形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。一些实施方式，上述存储类晶圆的抛光方法中，减薄后的存储类晶圆的背面是通过dpeg干式抛光轮进行抛光形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。例如，可以采用日本disco公司的dfg8761全自动研磨机上的dpeg干式抛光轮进行抛光。采用迪思科独创的dpeg干式抛光轮进行抛光整个制备过程不使用化学药品，减轻了环境负荷，并且与使用研磨液(膏)的制备过程相比，能够以更简单的操作完成薄晶圆的抛光。同时通过dpeg干式抛光轮进行抛光至平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm，能够在有效提高晶圆的断裂强度，同时也能够维持去疵性不降低，避免铜离子等金属离子对晶圆表面的电路进行污染。具体地，上述存储类晶圆的抛光方法中，通过dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光可以通过多个步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。通过上述多个操作步骤和上下进给的方式形成抛光痕的过程更有利于晶圆的应力释放。在通过dpeg进行抛光的过程中，其进给速度的选择能够很大程度影响抛光的效果，进给速度过小会对晶圆片造成较大的冲击，进而对晶圆的结构造成破坏，进给速度过小，不利于形成所需要得到的粗糙度的抛光痕，因此，一些实施方式，上述存储类晶圆的抛光方法中，dpeg干式抛光轮进行抛光时，下降时的进给速度为0.4～0.6μm/sec，例如下降时的进给速度可以为0.4μm/sec，0.5μm/sec，或0.6μm/sec。上述存储类晶圆的抛光方法中，上升时的进给速度为0.9～1.1μm/sec，例如0.9μm/sec，1.0μm/sec，或1.1μm/sec。同样地，通过控制dpeg干式抛光轮的时间来得到表面粗糙度ra在0.01μm～0.03μm内的晶圆，一些实施方式，上述存储类晶圆的抛光方法中，通过dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为145～155sec，例如进行抛光的总时间可以为145s，146s，147s，148s，149s，150s，151s，152s，153s，154s或155s。一些实施方式中，上述存储类晶圆的抛光方法中，采用的存储类晶圆可以选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种。本发明的一些实施方式还提供了一种存储类晶圆的加工方法，其包括：将存储类晶圆背面依次通过粗磨、精磨减薄至100μm厚度以下；将减薄后的存储类晶圆的背面通过dpeg干式抛光轮抛光至形成平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。一些实施方式，上述存储类晶圆的加工方法中，通过dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光通过多个步骤进行，例如可以通过五个阶段步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。一些实施方式，上述dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光过程中，下降时的进给速度为0.4～0.6μm/sec，例如下降时的进给速度可以为0.4μm/sec，0.5μm/sec，或0.6μm/sec。上述存储类晶圆的抛光方法中，上升时的进给速度为0.9～1.1μm/sec，例如0.9μm/sec，1.0μm/sec，或1.1μm/sec。通过上述多步骤以及合适上下进给速度的选择，可以使得dpeg干式抛光轮能够有效去除晶圆应力的同时，还能够形成所需表面粗糙度范围的抛光痕。进一步地，一些实施方式，上述存储类晶圆的加工方法中，通过dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为145～155sec，例如进行抛光的总时间可以为145s，146s，147s，148s，149s，150s，151s，152s，153s，154s或155s。通过上述进行抛光的总时间进行控制达到的表面粗糙度。鉴于在存储类晶圆的加工方法中，要使得最终通过dpeg抛光获得的晶圆片能够具有较好的断裂强度，以及抛光效果，晶圆在进行dpeg抛光之前进行的粗磨、精磨减薄工艺过程也非常重要，能够影响后续加工过程以及最终产品性能。因此，在本发明的一些实施方式中也对粗磨和精磨工艺进行了参数的设计。具体地，一些实施方式，上述存储类晶圆的加工方法中，对存储类晶圆进行粗磨的粗磨研磨轮粒度可以为320#。进行粗磨时的主轴转速可以为3000～3400rpm，优选3100～3300rpm，更优选3150～3250rpm，例如可以为3200rpm。一些实施方式，存储类晶圆的加工方法中，粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为3.8～4.2μm/sec，例如3.8μm/sec，3.9μm/sec，4.0μm/sec，4.1μm/sec，或4.2μm/sec。p2阶段的进给速度为2.8～3.2μm/sec，例如2.8μm/sec，2.9μm/sec，3.0μm/sec，3.1μm/sec，或3.2μm/sec。p3阶段的进给速度为0.8～1.2μm/sec，例如0.8μm/sec，0.9μm/sec，1.0μm/sec，1.1μm/sec，或1.2μm/sec。通过多个粗磨阶段并在每个阶段选择不同的进给速度可以能够有效降低在粗磨过程中晶圆本身应力的积累。进一步地，三个粗磨阶段进给速度逐渐降低，使得粗磨研磨轮的进给速度与晶圆片的厚度进行关联匹配，在晶圆片厚度较高时选择较高的进给速度，当厚度降低时采用较低的进给速度。该三步粗磨，阶段性进给速度降低的设置，能够充分降低粗磨过程对晶圆片的损伤，提高粗磨效果。进一步地，上述存储类晶圆的加工方法中，存储类晶圆粗磨时，需要将晶圆片粗磨到预设的最终粗磨厚度即精磨原始厚度，一些实施方式中，p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。进一步地，上述存储类晶圆的加工方法中，对粗磨后的存储类晶圆进行精磨的精磨研磨轮粒度为2000#或8000#。一些实施方式中，精磨也同样通过p1～p3三个阶段进行。具体地，当选择不同的精磨研磨轮粒度时对应设置不同的转速以及进给速度。当精磨研磨轮粒度为2000#时，进行精磨时的主轴转速为3300～3600rpm，优选3300～3500rpm，更优选3400～3500rpm，例如3400rpm，p1阶段的进给速度为0.4μm/sec，p2阶段的进给速度为0.3μm/sec，p3阶段的进给速度为0.2μm/sec。同样地，在精磨过程中也可以通过选择在厚度降低时，同时也降低进给速度，以达到更佳的研磨效果。当精磨研磨轮粒度为8000#时，进行精磨时的主轴转速为1300～1500rpm，优选1300～1400rpm，更优选1350～1400rpm，例如1400rpm，p1～p3阶段的进给速度均为0.2μm/sec。一些实施方式中，上述p1～p3阶段的精磨过程中，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。上述每个阶段对应的磨制厚度能够有利于对应进给速度的匹配，提高整体的磨制效果，降低应力积累。进一步地，根据一些实施方式，上述存储类晶圆的加工方法还包括在进行粗磨之前在存储类晶圆的正面贴膜。对存储类晶圆进行正面贴膜，可以使用8寸及其以上全自动贴膜机进行贴膜，其能够在减薄过程中对晶圆起到较好的保护支撑，避免破片问题。一些实施方式中，进行正面贴膜的膜片可以选择e-8180hruv膜。进一步地，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度10～30mm/s，筒压力a～e阶段均为28～32％。通过上述贴膜参数的设置，可以使得贴膜时无气泡，圆片边缘贴膜无残胶问题，进而有利于避免减薄过程中碎片问题的发生。需要说明的是，本发明实施方式中，进行粗磨、精磨以及dpeg干式抛光过程的仪器均可以采用8寸及其以上全自动减薄机，例如日本disco公司的dfg8761全自动研磨机，该全自动研磨机集自动上料，定位校准，粗磨、精磨、dpeg抛光(drypolishextrinsicgetteringwheel-外部去疵性干抛轮)、清洗、uv照射、贴片、揭膜为一体的全自动减薄机。根据一些实施方式，存储类晶圆的加工方法还包括在dpeg干式抛光轮对存储类晶圆抛光后，对存储类晶圆背面进行清洗。进一步地，上述存储类晶圆的加工方法还可以包括在清洗存储类晶圆背面后，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行绷膜贴片。通过清洗可以去除磨片后的圆片背面碎屑粉尘，确保无贴片后气泡、异物，为后续的制备提高保障。根据一些实施方式，在对存储类晶圆的背面进行绷膜贴片之前，先通过uv装置照射存储类晶圆的正面，以降低晶圆与磨片膜的粘性，防止芯片碎裂。需要说明的是，晶圆贴片后需确保片膜间无气泡、异物、皱褶，膜与贴片环接触良好，无气泡、剥离、贴偏现象。一些实施方式中，存储类晶圆的加工方法还包括在对存储类晶圆的背面绷膜贴片后，揭除存储类晶圆正面的膜片。本发明的一些实施方式还提供了一种存储类晶圆，其由上述任意一种存储类晶圆的抛光方法或任意一种存储类晶圆的加工方法得到。本发明的一些实施方式还涉及一种存储类芯片，其包括上述存储类晶圆，该存储类晶圆的正面设置有电路元件结构层。以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。实施例1本实施例提供的一种存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。存储类晶圆为flash芯片晶圆片。该存储类晶圆的加工方法，其包括：s1、通过全自动贴膜机对存储类晶圆的正面贴膜，进行正面贴膜的膜片选择e-8180hruv膜，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度20mm/s，筒压力a～e阶段均为30％。s2、对存储类晶圆进行粗磨，使得存储类晶圆达到精磨原始厚度。粗磨研磨轮粒度为320#，主轴转速可以为3200rpm。粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为4μm/sec，p2阶段的进给速度为3μm/sec，p3阶段的进给速度为1.0μm/sec。p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。s3、对粗磨后的存储类晶圆进行精磨。进行精磨的精磨研磨轮粒度为2000#，精磨也同样通过p1～p3三个阶段进行，主轴转速为3400rpm，p1阶段的进给速度为0.4μm/sec，p2阶段的进给速度为0.3μm/sec，p3阶段的进给速度为0.2μm/sec。其中，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。s4、通过dpeg干式抛光轮对精磨后的存储类晶圆抛光。dpeg干式抛光轮通过五个阶段步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。下降时的进给速度为0.5μm/sec，上升时的进给速度为1.0μm/sec。dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为150sec。其中，本实施例进行粗磨、精磨以及dpeg干式抛光过程的仪器均采用日本disco公司的dfg8761全自动研磨机。s5、对抛光后的存储类晶圆背面进行清洗，再通过uv装置照射存储类晶圆的正面，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行自动绷膜贴片，然后再揭除正面的磨片保护膜，最后贴片后的晶圆自动下料至料框中。实施例2本实施例提供的一种存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。存储类晶圆为ddr芯片晶圆片。该存储类晶圆的加工方法，其包括：s1、通过全自动贴膜机对存储类晶圆的正面贴膜，进行正面贴膜的膜片选择e-8180hruv膜，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度10mm/s，筒压力a～e阶段均为28％。s2、对存储类晶圆进行粗磨，使得存储类晶圆达到精磨原始厚度。粗磨研磨轮粒度可以为320#，主轴转速可以为3000rpm。粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为3.8μm/sec，p2阶段的进给速度为2.8μm/sec，p3阶段的进给速度为0.8μm/sec。一些实施方式中，p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。s3、对粗磨后的存储类晶圆进行精磨。进行精磨的精磨研磨轮粒度为2000#。精磨也同样通过p1～p3三个阶段进行。当精磨研磨轮粒度为2000#时，进行精磨时的主轴转速为3300，p1阶段的进给速度为0.4μm/sec，p2阶段的进给速度为0.3μm/sec，p3阶段的进给速度为0.2μm/sec。其中，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。s4、通过dpeg干式抛光轮对精磨后的存储类晶圆抛光。dpeg干式抛光轮通过五个阶段步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。下降时的进给速度为0.4μm/sec。上升时的进给速度为0.9μm/sec。dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为145sec。其中，本实施例进行粗磨、精磨以及dpeg干式抛光过程的仪器均采用日本disco公司的dfg8761全自动研磨机。s5、对抛光后的存储类晶圆背面进行清洗，再通过uv装置照射存储类晶圆的正面，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行自动绷膜贴片，然后再揭除正面的磨片保护膜，最后贴片后的晶圆自动下料至料框中。实施例3本实施例提供的一种存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。存储类晶圆选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种。该存储类晶圆的加工方法，其包括：s1、通过全自动贴膜机对存储类晶圆的正面贴膜，进行正面贴膜的膜片选择e-8180hruv膜，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度30mm/s，筒压力a～e阶段均为32％。s2、对存储类晶圆进行粗磨，使得存储类晶圆达到精磨原始厚度。粗磨研磨轮粒度可以为320#，主轴转速可以为3400rpm。粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为4.2μm/sec，p2阶段的进给速度为3.2μm/sec，p3阶段的进给速度为1.2μm/sec。p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。s3、对粗磨后的存储类晶圆进行精磨。进行精磨的精磨研磨轮粒度为8000#。精磨也同样通过p1～p3三个阶段进行。进行精磨时的主轴转速为1400rpm，p1～p3阶段的进给速度均为0.2μm/sec。其中，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。s4、通过dpeg干式抛光轮对精磨后的存储类晶圆抛光。dpeg干式抛光轮通过五个阶段步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。下降时的进给速度为0.6μm/sec，上升时的进给速度为1.1μm/sec。dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为155sec。其中，本实施例进行粗磨、精磨以及dpeg干式抛光过程的仪器均采用日本disco公司的dfg8761全自动研磨机。s5、对抛光后的存储类晶圆背面进行清洗，再通过uv装置照射存储类晶圆的正面，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行自动绷膜贴片，然后再揭除正面的磨片保护膜，最后贴片后的晶圆自动下料至料框中。实施例4本实施例提供的一种存储类晶圆的厚度小于或等于100μm，存储类晶圆的背面具有平均表面粗糙度ra为0.01μm～0.03μm的抛光痕。存储类晶圆选自flash芯片晶圆片、ddr芯片晶圆片和memory芯片晶圆片中的一种。该存储类晶圆的加工方法，其包括：s1、通过全自动贴膜机对存储类晶圆的正面贴膜，进行正面贴膜的膜片选择e-8180hruv膜，进行正面贴膜时的贴膜参数为：贴膜速度25mm/s，筒压力a～e阶段均为30％。s2、对存储类晶圆进行粗磨，使得存储类晶圆达到精磨原始厚度。粗磨研磨轮粒度为320#，主轴转速为3250rpm。粗磨通过p1～p3三个阶段进行，p1阶段的进给速度为3.9μm/sec，p2阶段的进给速度为2.9μm/sec，p3阶段的进给速度为0.9μm/sec。p1阶段为从晶圆原始厚度+膜总厚度减薄至精磨原始厚度+60μm厚度；p2阶段从精磨原始厚度+60μm厚度减薄至精磨原始厚度+30μm；p3阶段从精磨原始厚度+30μm厚度减薄至精磨原始厚度。s3、对粗磨后的存储类晶圆进行精磨。进行精磨的精磨研磨轮粒度为8000#。精磨也同样通过p1～p3三个阶段进行。进行精磨时的主轴转速为1350rpm，p1～p3阶段的进给速度均为0.2μm/sec。其中，p1阶段厚度从精磨原始厚度减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm，p2阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+20μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm+10um，p3阶段从最终厚度+膜总厚度+2μm+10μm减薄至最终厚度+膜总厚度+2μm。s4、通过dpeg干式抛光轮对精磨后的存储类晶圆抛光。dpeg干式抛光轮通过五个阶段步骤进行，每个步骤均通过不断上下进给dpeg干式抛光轮进行抛光。下降时的进给速度为0.5μm/sec，例如下降时的进给速度0.4μm/sec，上升时的进给速度为1.1μm/sec。dpeg干式抛光轮进行抛光的总时间为148sec。其中，本实施例进行粗磨、精磨以及dpeg干式抛光过程的仪器均采用日本disco公司的dfg8761全自动研磨机。s5、对抛光后的存储类晶圆背面进行清洗，再通过uv装置照射存储类晶圆的正面，选用uv型划片膜对存储类晶圆的背面进行自动绷膜贴片，然后再揭除正面的磨片保护膜，最后贴片后的晶圆自动下料至料框中。对比实验一、dpeg干式抛光总的抛光时间对去疵效果的影响。对比例1本对比例与实施例1不同之处仅在于，dpeg干式抛光总的抛光时间为140s。对比例2本对比例与实施例1不同之处仅在于，dpeg干式抛光总的抛光时间为158s。通过检测实施例1、对比例1和对比例2得到的晶圆通过表面粗糙度测量仪进行表面粗糙度检测以及通过球压式抗折强度测量法测量抗折强度，并将按照实施例1、对比例1和对比例2中生成过程进行生成芯片，芯片不被cu污染的良率进行统计，结果如表1所示。表1由此，可以看出dpeg干式抛光总的抛光时间能够影响最终晶圆背面的抛光痕的平均表面粗糙度，进而影响晶圆能够避免cu污染的能力，抛光时间越长，晶圆能够具有较高的抗折强度，从表中数据可以看出，当延长总的抛光时间，虽然抗折强度上升，但是被cu污染的概率增加。二、dpeg干式抛光时，下降以及上升的进给速度对去疵效果的影响。对比例3本对比例与实施例1不同之处仅在于，下降时的进给速度为0.7μm/sec，上升时的进给速度为0.8μm/sec。对比例4本对比例与实施例1不同之处仅在于，下降时的进给速度为0.3μm/sec，上升时的进给速度为0.8μm/sec。对比例5本对比例与实施例1不同之处仅在于，下降时的进给速度为0.3μm/sec，上升时的进给速度为0.8μm/sec。按照实施例1和对比例3-5的方法得到的晶圆通过球压式抗折强度测量法测量抗折强度以及进行切割生产芯片，对芯片不被cu污染的良率进行统计，结果如表2。表2由表中数据，可以看出dpeg干式抛光时，下降以及上升的进给速度对抛光后的抗折强度以及抵抗cu污染的能力均有影响。三、精磨、粗磨工艺对抗折强度以及去疵效果的影响对比例6本对比例与实施例1不同之处仅在于，粗磨时的粗磨研磨轮粒度为325#。对比例7本对比例与实施例1不同之处仅在于，本对比例粗磨过程只采用3μm/sec的进给速度进行研磨。对比例8本对比例与实施例1不同之处仅在于，精磨过程p1阶段的进给速度为0.7μm/sec，p2阶段的进给速度为0.5μm/sec，p3阶段的进给速度为0.2μm/sec。按照实施例1和对比例6-8的实施方式得到的晶圆通过通过球压式抗折强度测量法测量抗折强度以及进行切割生产芯片，对芯片不被cu污染的良率进行统计，结果如表3所示。表3组别平均抗折强度良率实施例11358mpa100％对比例61103mpa96.3％对比例71032mpa97.4％对比例81065mpa95.8％四、与传统的dp抛光工艺进行去疵性比较对比例本对比例与实施例不同之处仅在于，在将晶圆粗磨、精磨后通过传统的dp抛光进行镜面加工。将实施例1和对比例8的晶圆制备成样品，经过cu强制污染的样本以350摄氏度加热3小时后，使用txrf(全反射式x光荧光光谱仪)进行分析。研磨面经过cu强制污染并扩散后，使用txrf分析反面(镜面)析出的cu量。图1和图2分别为两种样品被污染前后反面析出的cu含量图。从图1和图2以及对应仪器结果中可以看出，通过本发明实施例中的方法得到的晶圆的反面平均铜检测量为0.02atoms/m2，最大铜检测量为0.38atoms/m2。而传统的抛光方式反面平均铜检测量为0.52atoms/m2，最大铜检测量为5.24atoms/m2。综上所述，传统的抛光加工后将减薄后外部去疵区域完全去除，而dpeg抛光则是介于不抛光及dp抛光之间，抛光加工后在晶圆背面产生极其微细的抛光痕(即损伤层)，其作用等同于外部去疵区域，在增强了芯片强度的同时，也避免了抛光后cu离子渗入污染问题。以上所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。当前第1页12