技术特征：
技术总结
本发明提供了一种硅的外延生长方法、半导体器件及其形成方法。包括：提供一半导体衬底，半导体衬底具有一有源区和一隔离区；执行非选择性外延生长工艺，以在有源区上生长第一晶体硅层，以及在隔离区上生长第二晶体硅层；执行选择性刻蚀工艺，以选择性去除第二晶体硅层；以及，执行选择性外延生长工艺，以在第一晶体硅层上外延生长出第三晶体硅层，第一晶体硅层和第三晶体硅层具有相同的晶向，并共同用于形成一外延层。本发明中的硅的外延生长方法，最终生长出的外延层的外延厚度与外延宽度的比值在4/5～5/3范围内可调控，保证了最终形成的半导体器件的性能和适用性。
技术研发人员：黄康;徐灵芝;张志刚
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.01.11