技术特征：
技术总结
新的四端子封装的半导体器件在400伏的直流输出PFC升压转换器电路中是特别有用的。在封装的主体内，安装NFET管芯和快速反向二极管管芯，使得NFET的底侧漏极电极经由管芯附接片电耦接到反向二极管的底侧P型阳极区域。第一端子T1被耦接到管芯附接片。第二端子T2被耦接到NFET管芯的栅极。第三端子T3被耦接到NFET管芯的源极。第四端子T4被耦接到快速反向二极管管芯的顶侧阴极电极。由于反向二极管管芯的新的P+型电荷载流子提取区域，该封装器件在PFC升压转换器电路应用中是快速的且具有低的反向漏电流。
技术研发人员：石庆旭
受保护的技术使用者：艾赛斯有限责任公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.03.05