一种凹槽型MOS-HEMT的制作方法

本发明涉及高电子移动率晶体管(hemt)领域，尤其涉及一种凹槽型mos-hemt。

背景技术

高电子移动率晶体管(highelectronmobilitytransistor,hemt)，也称调变掺杂场效应管(modulation-dopedfet,modfet)是场效应晶体管的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结构，为载子提供通道。而近年来发展的氮化镓高电子移动率晶体管则凭借其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子移动率晶体管可以在极高频下工作，因此在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。

algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)具有高频率、高温操作、高功率、宽能隙、高电场、高导热、高电子饱和速度以及高二维电子云浓度的特性，二维电子气(two-dimensionalelectrongas,2deg)是指电子气可以自由在二维方向移动，而在第三维上受到限制的现象。iii族氮化物异质结构具有较大的自发性极化与压电效应，此异质结构沿着极性方向生长，在algan/gan的界面上形成三角形量子阱，也就是二维电子云(2deg)。它是许多场效应器件(例如mosfet、hemt)工作的基础。氮化镓高电子迁移率晶体管可以应用于电源开关，高频率，高电流操作的应用。

可是现有algan/gan高电子迁移率晶体管(hemt)存在f-n穿隧(fowler-nordheimtunneling)现象-电子容易从硅或门极金属的表面穿隧到氧化层的导电带上，形成栅极漏电流；尤其是薄膜厚度在几奈米以下时，穿透的机率将会大增。另外一种直接穿隧(directtunneling)的现象是随着组件尺寸的微缩，使得氧化层厚度(gateoxidethickness)也越做越薄，当栅极氧化层厚度小于4nm，在一个薄氧化层的组件上，施加一个较大的栅极偏压vg，因此不论是正电压还是负电压，都容易会造成基板(或金属电极)的电子直接穿隧到金属电极(或基板)的导电带，形成栅极漏电流，进而增加组件功率散逸及降低组件的稳定性。

技术实现要素：

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的是提供一种稳定性好的防栅极漏电流的hemt。

本发明所采用的技术方案是：一种凹槽型mos-hemt，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、gan层以及n-algan层，所述gan层和所述n-algan层形成异质结，所述n-algan层上表面的一端设有源电极，另一端具有漏电极，所述源电极和所述漏电极与n-algan层形成欧姆接触；所述n-algan层上表面由下到上依次叠加有第一n-gan层、aln层、第二n-gan层以及介电层，所述介电层具有凹槽，所述凹槽依次贯穿所述第一n-gan层、aln层、第二n-gan层延伸至所述n-algan层，所述凹槽内设置有栅电极。

进一步，所述介电层为high-k材料。

进一步，所述介电层的材料为hfo2、mgo、tio2、ga2o3、旋涂式介电材料、拓扑绝缘体中的任意一种。

进一步，所述介电层使用原子层沉积形成。

进一步，所述缓冲层的材料为aln或lowtemperaturegan。

进一步，所述algan层的厚度小于25nm。

本发明的有益效果是：通过凹槽型的介电层防止栅电极横向穿隧到源电极和漏电极穿隧电流以及向下方向的穿隧电流，三重防护从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。

附图说明的

图1是本发明的立面剖视图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示，一种凹槽型mos-hemt，包括从下至上依次层叠设置的衬底1、缓冲层2、gan层3以及n-algan层4，所述gan层3和所述n-algan层4形成异质结，形成三角形量子阱，也就是二维电子云(2deg)，所述n-algan层4上层的一端设有源电极6，另一端具有漏电极5，所述源电极6和所述漏电极6与n-algan层4形成欧姆接触；所述n-algan层4上表面由下到上依次叠加有第一n-gan层7、aln层8、第二n-gan层9以及介电层10，所述介电层10具有凹槽12，所述凹槽12依次贯穿所述第一n-gan层7、aln层8、第二n-gan层9延伸至所述n-algan层4，所述凹槽14内设置有栅电极11。优选的，所述缓冲层2的材料为aln或lowtemperaturegan，所述n-algan层4的厚度小于25nm。

在第一n-gan层7顶部添加aln层8增加了gan层3和所述n-algan层4界面的gan层3侧上的二维电子气中的电荷载流子的密度。在ganhemt晶体管中，高电子密度使设计自然适应更高的功率输出。在没有负电压的情况下可以防止电流流动。依次叠加的第一n-gan层7、aln层8、第二n-gan层9三层结构，可以改善了表面粗糙度，同时提高了输出和可靠性。另外通过凹槽型结构的介电层10防止栅电极11横向穿隧到源电极6和漏电极5穿隧电流以及向下方向的穿隧电流，三重防护从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。

作为优选的实施方式，本方案中，介电层10的材料可以是hfo2、mgo、tio2、ga2o3、旋涂式介电材料或拓扑绝缘体中的一种。介电层10为high-k材料通常用空气当参考点，其k值为1。所以k值越高，抑制栅极电子直接穿隧到金属电极(或基板)的导电带，防止栅极漏电流的能力越强，进而减少组件功率散逸及提高组件的稳定性，使得晶体管能够正确的切换于”开”或”关”状态。

(1)介电层采用氧化镁mgo氧化物层可有效的降低氧化物层和gan陷阱密度，mos-hemt与传统的hemt做比较，在组件崩溃电流的部分比较低，也能够降低源极及汲极之间的漏电流与表面陷阱，改善直流与射频特性。

(2)氧化钛tio2的物理与化学稳定性佳、氧化能力强、成本便宜取得容易及无毒等优点，因此相比其他高介电材料，以tio2的应用及研究较为广泛。

(3)介电层采用超薄hfo2(3nm)/al2o3(2nm)二氧化铪/三氧化二铝的堆栈结构，也可达到具有到最小化电流崩溃和栅极漏电流。可以是一个非常有效的方法来增加电容密度。以传统hemt结构与增加hfo2介电层hemt比较，在传统结构上只成长al2o3(在栅极下方介电层)和改良结构以hfo2和al2o3堆栈成长，两者比较，在特性上。改良结构有最好的bvgd(崩溃电压)&von数值，提升ids电流，因为栅极介电层堆栈结构可以有效减少表面缺陷和表面泄漏电流通过，因此在al2o3上成长hfo2的方法，其中al2o3形成良好的保护层，而hfo2可以进一步抑制从栅极信道以热电子发射和穿隧行为注入的载子

(4)介电层采用旋涂式介电材料(spinondielectrics)，可达到具有到最小化电流崩溃和栅极漏电流并节省成本。

(5)介电层采用electron-beam-evaporated(电子束蒸镀)的ga2o3，也可以搭配使用al2o3/ga2o3堆栈结构达到具有到最小化电流崩溃和栅极漏电流。

高介电常数氧化层无法由硅基板直接热氧化成长，因此制作方式决定了介电层的质量与性质。作为优选的实施方式，所述介电层9使用原子层沉积形成，将high-k材料以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。

进一步作为优选的实施方式，衬底1的基板可选择也可以采用碳化硅(sic)或硅(si)或者其他可以磊晶生长高质量的氮化镓的衬底(substrate)。

以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。