一种曲面阵列基板及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性阵列基板及其制备方法。

背景技术：

相对于平面显示而言，曲面显示具有更广的视角，可以减少近距离观看的失真度，并且可以实现产品的差异化。然而显示屏弯曲时膜层应力较大，从而导致显示屏弯曲时易造成膜层断裂，影响显示效果。

技术实现要素：

本发明提供一种曲面阵列基板，以解决曲面显示屏弯曲时膜层应力较大，从而导致曲面显示屏弯曲时易造成膜层断裂，影响显示效果的问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种曲面阵列基板，包括：

基板；

设置于所述基板上的第一金属层；

设置于所述基板上且覆盖所述第一金属层的绝缘层；

设置于所述绝缘层上的半导体层；以及

设置于所述绝缘层上且与所述半导体层连接的第二金属层；

其中，所述绝缘层上靠近弯曲中心处设置有通孔，所述第二金属层通过所述通孔与所述第一金属层连接。

优选的，所述第二金属层上开设有沟道，所述沟道两端向所述第二金属层边缘延伸以贯穿所述第二金属层。

优选的，至少一条所述沟道位于弯曲中心处。

优选的，所述沟道贯穿所述第二金属层的上下两侧。

优选的，所述半导体层位于所述沟道侧部。

本发明还提供一种曲面阵列基板的制备方法，包括：

s10、在基板上形成第一金属层；

s20、在所述基板上形成覆盖所述第一金属层的绝缘层；

s30、在所述绝缘层上形成图案化的半导体层；

s40、通过蚀刻工艺在所述绝缘层上靠近弯曲中心处形成通孔；

s50、在所述绝缘层上形成填充所述通孔的第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层连接；

s60、对所述第二金属层进行图案化处理，以形成与所述半导体层连接的源极和漏极。

优选的，所述曲面阵列基板的制备方法还包括：

s70、在所述第二金属层上开设沟道，所述沟道两端向所述第二金属层边缘延伸以贯穿所述第二金属层。

优选的，至少一条所述沟道位于弯曲中心处。

优选的，所述沟道贯穿所述第二金属层的上下两侧。

优选的，所述半导体层位于所述沟道侧部。

本发明的有益效果为：在第二金属层位于弯曲中心处的部分上开设沟道，减少第二金属层沿弯曲中心线方向上的顶点与中性平面之间的间距，减小第二金属层的顶点所受得应力，同时利用通孔实现第二金属层与第一金属层的连接，增强第二金属层与绝缘层的连接强度，从而降低第二金属层因应力断裂的风险。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明具体实施方式中曲面阵列基板的结构示意图；

图2为本发明具体实施方式中曲面阵列基板的制备流程示意图；

图3至图6为本发明具体实施方式中曲面阵列基板的详细制备流程示意图。

附图标记：

10、基板；20、第一金属层；30、绝缘层；31、通孔；40、半导体层；50、第二金属层；51、沟道；52、源极；53、漏极；60、中性平面；70、弯曲中心线。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明针对现有的曲面显示屏，曲面显示屏弯曲时膜层应力较大，从而导致曲面显示屏弯曲时易造成膜层断裂，影响显示效果，本发明可以解决上述问题。

一种曲面阵列基板，如图1所示，所述曲面阵列基板包括基板10、设置于所述基板10上的第一金属层20、设置于所述基板10上且覆盖所述第一金属层20的绝缘层30、设置于所述绝缘层30上的半导体层40以及设置于所述绝缘层30上且与所述半导体层40连接的第二金属层50。

其中，所述绝缘层30上靠近弯曲中心处设置有通孔31，所述第二金属层50通过所述通孔31与所述第一金属层20连接。

将第二金属层50通过通孔31与第一金属层20连接，提高第二金属层50与绝缘层30的连接强度，从而增加第二金属层50的抗应力能力，从而降低第二金属层50因应力断裂的风险。

其中，所述第二金属层50上开设有沟道51，所述沟道51两端向所述第二金属层50边缘延伸以贯穿所述第二金属层50，所述半导体层40位于所述沟道51侧部。

需要说明的是，所述沟道51可以设置一条或多条，在具体实施中，可根据实际需要选择沟道51的数量，一般而言，曲面阵列基板的厚度越大，需要开设的沟道51的数量越多。

具体的，至少一条所述沟道51位于弯曲中心处。

可以理解的是，如图1所示，由于弯曲时，任意点的应力大小与弯曲半径及该点到中性平面60的距离相关，距离越大，该点应力越大，可知弯曲时沿弯曲中心线70方向，曲面顶点应力最大；其中，所述中性平面60是在曲面阵列基板被弯曲时没有应力被施加的区域，在本实施例中，所述中性平面60为基板与所述第一金属层20的交界面。

具体的，所述沟道51贯穿所述第二金属层50的上下两侧。

在本实施例中，将至少一条沟道51设置在弯曲中心处，减小沿弯曲中心线70方向的第二金属层50的顶点与中性平面60的距离，从而减小第二金属层50的顶点所受应力，从而降低第二金属层50因应力断裂的风险。

基于上述曲面阵列基板，本发明还提供一种曲面阵列基板的制备方法，如图2所示，所述曲面阵列基板的制备方法包括：

s10、在基板10上形成第一金属层20；

s20、在所述基板10上形成覆盖所述第一金属层20的绝缘层30；

s30、在所述绝缘层30上形成图案化的半导体层40；

s40、通过蚀刻工艺在所述绝缘层30上靠近弯曲中心处形成通孔31；

s50、在所述绝缘层30上形成填充所述通孔31的第二金属层50，所述第二金属层50与所述第一金属层20连接；

s60、对所述第二金属层50进行图案化处理，以形成与所述半导体层40连接的源极52和漏极53。

将第二金属层50通过通孔31与第一金属层20连接，从而增加第二金属层50的抗应力能力，从而降低第二金属层50因应力断裂的风险。

具体的，所述曲面阵列基板的详细制备过程参见图3至图6。

如图3所示，采用物理气相沉积法沉积第一金属层20，通过曝光、显影以及蚀刻形成第一金属层图形。

需要说明的是，在具体实施中，也可采用其他方法形成第一金属层20，如化学气相沉积法。

如图4所示，通过化学气相沉积法形成绝缘层30，所述绝缘层30的制成材料包括氮化硅和氧化硅中的一种或多种。

如图5所示，通过蚀刻工艺在所述绝缘层30上靠近弯曲中心处形成通孔31。

如图6所示，通过化学气相沉积法在所述绝缘层30上形成半导体层40，并对半导体层40进行图案化处理，以形成图案化的半导体层40。

通过物理气相沉积法在所述绝缘层30上形成第二金属层50，所述第二金属层50通过所述通孔31与第一金属层20连接。

对所述第二金属层50进行图案化处理，形成与所述半导体层40连接的源极52和漏极53。

其中，所述曲面阵列基板的制备方法还包括：在所述第二金属层50上开设沟道51，所述沟道51两端向所述第二金属层50边缘延伸以贯穿所述第二金属层50，所述半导体层40位于所述沟道51侧部。

具体的，至少一条所述沟道51位于弯曲中心处。

具体的，所述沟道51贯穿所述第二金属层50的上下两侧。

将至少一条所述沟道51设置在弯曲中心处，减小沿弯曲中心线70方向的第二金属层50的顶点与中性平面60的距离，从而减小第二金属层50的顶点所受应力，从而降低第二金属层50因应力断裂的风险。

本发明的有益效果为：在第二金属层50位于弯曲中心处的部分上开设沟道51，减少第二金属层50沿弯曲中心线70方向上的顶点与中性平面60之间的间距，减小第二金属层50的顶点所受得应力，同时利用通孔31实现第二金属层50与第一金属层20的连接，增强第二金属层50与绝缘层20的连接强度，从而降低第二金属层50因应力断裂的风险。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。