技术特征：
技术总结
本发明涉及碳化硅半导体器件制造及可靠性技术领域，一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺清洗，(2)高温热氧化，(3)氮氢混合等离子体钝化处理，(4)涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入以形成源区和漏区，(5)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过氮氢混合等离子体中N‑H的协同作用有效的钝化氧化层陷阱和界面陷阱，其中H元素可以在N钝化的基础上近一步钝化氧化层陷阱和界面陷阱，并将多余的氮产生的深能级陷阱移向禁带下半部分或禁带之外，减少了陷阱对MOS器件稳定性的影响，提高了SiC MOSFET器件在低温(80～300K)和高温(300～500K)下的稳定性。
技术研发人员：王德君;孙雨浓;杨超;秦福文
受保护的技术使用者：大连理工大学
技术研发日：2018.10.03
技术公布日：2018.12.28