半导体装置以及提供半导体装置的方法与流程

技术特征：

技术总结
描述一种半导体装置以及提供半导体装置的方法。所述方法提供多个鳍。多个鳍中的每一个的第一部分由掩模覆盖。多个鳍中的每一个的第二部分通过掩模暴露。该方法还在高于一百摄氏度且不超过六百摄氏度的退火温度下在体积增大环境(例如氢中)执行退火。鳍中的每一个的第二部分在退火期间暴露使得鳍中的每一个的第二部分经历体积膨胀。

技术研发人员：洪俊九;徐康一;博尔纳·奥布拉多维奇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.05.24