技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在一衬底上，生长氮化镓基的缓冲层、第一n型半导体层、有源层和p型半导体层；步骤S2、对所述p型半导体层进行活化；步骤S3、对所述活化后的p型半导体层进行表面处理，去除表面污染物；步骤S4、在所述表面处理后的p型半导体层上，生长氮化镓基的第二n型半导体层。本发明的优点在于：采用二次外延的方法实现p++/n++重掺杂的隧道结，避免了MOCVD一次外延生长中存在的Mg记忆效应的问题，可以得到界面掺杂浓度陡峭的隧道结；在二次外延生长第二n型半导体层之前，对p型半导体层高温退火进行活化，避免p型半导体层被第二n型半导体层覆盖后难以活化的问题。
技术研发人员：顾伟
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2018.11.21
技术公布日：2019.04.12