技术特征：
技术总结
方法包括形成突出在衬底之上的第一鳍，第一鳍具有PMOS区域；在PMOS区域中的第一鳍上方形成第一栅极结构；在第一鳍和第一栅极结构上方形成第一间隔件层；并且在第一间隔件层上方形成第二间隔件层。该方法还包括实施第一蚀刻工艺以从PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁去除第二间隔件层；实施第二蚀刻工艺以从PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁去除第一间隔件层；以及在PMOS区域中的第一鳍上方外延生长第一源极/漏极材料，第一源极/漏极材料沿着PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁延伸。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
技术研发人员：林玮耿;李俊德;徐志朋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.11.29
技术公布日：2019.07.12