1.一种半导体器件光化学刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
s1、在具有掩膜层的半导体结构的待刻蚀表面进行化学刻蚀第一预设时间段，得到预刻蚀的半导体结构；
s2、使用光照使所述预刻蚀的半导体结构的待刻蚀区域产生电场，以对所述待刻蚀区域进行深刻蚀，得到预设深宽比的半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述步骤s2包括：
在所述预刻蚀的半导体结构的待刻蚀表面继续进行化学刻蚀，以及，
在所述预刻蚀的半导体结构的待刻蚀区域的背面增加光照，以使所述预刻蚀的半导体结构中待刻蚀区域产生电场。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述步骤s1中，所述化学刻蚀的药液为：h2o2：nh4oh：h2o＝1:4:20。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述第一预设时间段为10s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2包括：
在所述预刻蚀的半导体结构的待刻蚀表面继续进行化学刻蚀，以及，
使用预设波段的led对所述预刻蚀的半导体结构的待刻蚀区域的背面照射，以使所述预刻蚀的半导体结构中待刻蚀区域产生电场。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：
通过调节所述led的光照强度以控制刻蚀速率。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2中对所述待刻蚀区域进行深刻蚀，包括：
调整所述预刻蚀的半导体结构的位置，以使所述待刻蚀表面均匀刻蚀。
8.一种用于半导体器件光化学刻蚀的刻蚀装置，包括：
载体，用以支撑待刻蚀的半导体结构；和
药液盛放装置，用以存放化学刻蚀的药液；其中，
所述载体与所述半导体结构置于所述药液盛放装置内，所述半导体结构的表面浸泡于所述药液中进行化学刻蚀；
所述半导体结构的背面设有对所述半导体结构的待刻蚀区域进行光照的光源。
9.根据权利要求8所述的刻蚀装置，其特征在于，
所述载体为滚轮，通过所述滚轮滚动带动所述半导体结构在所述药液盛放装置内移动。
10.根据权利要求8所述的刻蚀装置，其特征在于，还包括药液循环装置；
所述药液循环装置位于所述药液盛放装置的外侧，用于收集从所述药液盛放装置溢流的药液并送入所述药液盛放装置中循环使用。