技术特征：
技术总结
公开了一种识别晶片缺陷区域的方法。所述方法包括：制备样品晶片，在800℃至1000℃的温度下在样品晶片上形成初级氧化物膜，在1000℃至1100℃的温度下在初级氧化物膜上形成第二氧化物膜，在1100℃至1200℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜，去除初级氧化物膜至第三氧化物膜，对去除了初级氧化物膜至第三氧化物膜的样品晶片的一个表面进行蚀刻，以在样品晶片的一个表面上形成模糊化，并且基于模糊化识别样品晶片的缺陷区域。
技术研发人员：李在炯
受保护的技术使用者：爱思开矽得荣株式会社
技术研发日：2018.12.05
技术公布日：2019.06.14