技术特征：
技术总结
本公开提供一种基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法，该基区电阻控制晶闸管，包括：衬底材料层、漂移区、表面结构层以及电极结构；漂移区为水平方向上交叉排列的N‑P‑N‑P型柱区构成的超结结构。本公开提供的基区电阻控制晶闸管、发射极开关晶闸管及制备方法中，漂移区采用超结结构，提高漂移区掺杂浓度、减小漂移区电阻，增强了晶闸管NMOS触发电流，同时利用超结P柱区抽取底部注入空穴，增大了晶闸管P基区空穴电流密度，加快了晶闸管开启，消除了snapback现象。超结漂移区电荷耦合效应增强了关断过程中对存储电荷的抽取作用，提高了MOS栅控晶闸管的关断速度，减小了关断功耗。
技术研发人员：胡飞;宋李梅;韩郑生;罗家俊;杜寰
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.12.12
技术公布日：2019.04.12