1.一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件，其特征在于，包括：
衬底层(11)；
缓冲层(12)，位于所述衬底层(11)上；
n型半导体层(13)，位于所述缓冲层(12)上；
n型掺杂层(14)，位于所述n型半导体层(13)上；
量子阱发光层(15)，位于所述n型掺杂层(14)上；
电子阻挡层(16)，位于所述量子阱发光层(15)上，所述电子阻挡层(16)包括依次层叠于量子阱发光层(15)上的第一电子阻挡层(161)、第二电子阻挡层(162)和第三电子阻挡层(163)，其中，所述第一电子阻挡层(161)的材料为alx1inyga1-x1-yn，所述第二电子阻挡层(162)的材料为alx2ga1-x2n，所述第三电子阻挡层(163)的材料为alx3in1-x3p；
p型掺杂层(17)，位于所述电子阻挡层(16)上；
p型半导体层(18)，位于所述p型掺杂层(17)上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，0<x1≤0.4，0<y≤0.2。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一电子阻挡层(161)的厚度为100-200nm。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，0<x2<0.7。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二电子阻挡层(162)的厚度为60-100nm。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，0<x3<0.5。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第三电子阻挡层(163)的厚度为20-50nm。