技术特征：
技术总结
本发明涉及一种无电子传输层有机半导体器件及其制备方法，所述器件自下而上依次包括透明衬底、有机材料薄膜、金属Ti薄膜和金属电极薄膜，其制备方法为：首先在透明衬底表面制备一层有机材料薄膜，再利用热蒸发、电镀或磁控溅射的方法在有机材料薄膜表面制备一层金属Ti薄膜，最后再在Ti薄膜表面覆盖一层金属电极材料，从而获得该无电子传输层有机半导体器件。本发明采用无电子传输层结构的器件，可以大幅简化薄膜制备工艺，免除部分材料的使用，从而实现简化器件制备的工艺环节，提高器件的良品率、降低制造成本。
技术研发人员：毛秀芬;顾琼;王莹;邓大庆
受保护的技术使用者：顾琼
技术研发日：2018.12.14
技术公布日：2019.04.12