技术特征：
技术总结
本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法，属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底，所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成，去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括：制备VCSEL阵列单元外延结构；在所述VCSEL阵列单元上制备上电极，并实现电极互连；在所述上电极上粘接嫁接基底；剥离所述外延结构的衬底；制备下电极并形成欧姆接触；将所述下电极与柔性基底粘接，并去除所述嫁接基底。本发明提供的激光器具可弯曲形变、环境适应力强、制备工序简便、可实现大面阵集成、亦可实现不同阵列单独控制、通过压力形变实现偏振模式选择等特点。
技术研发人员：李川川;韦欣;李健;汪超;廖文渊
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2018.12.13
技术公布日：2019.02.22