显示面板及其制造方法与流程

本发明涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术：

作为一种平板显示器的有机发光显示器是通过激发有机化合物发光的自发光显示器。与lcd相比，有机发光显示器在没有背光的情况下工作；因此，有机发光显示器可以更轻和更薄并且以简化的工艺制造。而且，有机发光显示器被广泛使用，因为它们可以在低温下制造，具有1ms或更短的快速响应时间，并且具有低功耗、宽视角和高对比度的特征。

通过在基板上形成各种晶体管阵列来制造有机发光显示器的显示面板。用于补偿基板上的不规则性的平坦化层放置在显示面板的顶层上。在显示面板的制造工艺中，来自平坦化层的气体需要平稳地释放，因为它们可能引起许多问题。与此同时，在制造显示面板之后，必须防止来自外部的水分渗透基板的阵列层。

技术实现要素：

本发明的示例性实施例提供了一种显示面板，包括：平坦化层，位于基板上并补偿不规则性；电极图案，位于基板的非显示区域中的平坦化层上并且暴露平坦化层的至少一部分；和不透水层，覆盖由电极图案暴露的平坦化层。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是示意性地示出有机发光显示器的框图；

图2是示意性地示出显示面板上的平面阵列的模式图；

图3是示意性地示出像素的电路结构的视图；

图4是示出根据本发明的有机发光显示器的视图；和

图5至9是示出根据本发明的制造有机发光显示器的方法的视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。在整个说明书中，相同的附图标记表示基本相同的部件。在描述本发明时，当认为可能不必要地模糊本发明的主题时，将省略与本发明相关的已知功能或配置的详细描述。在描述各种示例性实施例时，将在开始给出相同或相似部件的描述，但在其他示例性实施例中省略。

包括诸如“第一”和“第二”的序数的术语可用于描述各种部件。但是，部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。

图1是示意性地示出有机发光显示器的框图。图2是示意性地示出显示面板上的平面阵列的模式图。

参见图1和图2，根据本发明的有机发光显示器10包括显示驱动电路和显示面板dis。

显示驱动电路包括数据驱动电路12、栅极驱动电路14和时序控制器16，并将输入图像的视频数据电压写入显示面板dis上的像素。数据驱动电路12将从时序控制器16接收的数字视频数据rgb转换为模拟伽马补偿电压并产生数据电压。从数据驱动电路12输出的数据电压被提供至数据线d1至dm。栅极驱动电路14与数据电压同步地将栅极信号顺序提供至栅极线g1至gn，并从显示面板dis选择将写入数据电压的像素。

时序控制器16接收来自主机系统19的诸如垂直同步信号vsync、水平同步信号hsync、数据使能信号de、主时钟mclk等的时序信号，并同步数据驱动电路12和栅极驱动电路14的操作时序。用于控制数据驱动电路12的数据时序控制信号包括源极采样时钟ssc、源极输出使能信号soe等。用于控制栅极驱动电路14的栅极时序控制信号包括栅极起始脉冲gsp、栅极移位时钟gsc、栅极输出使能信号goe等。

主机系统19可以实现为以下任何一个：电视系统、机顶盒、导航系统、dvd播放器、蓝光播放器、个人计算机pc、家庭影院系统、和电话系统。主机系统19包括片上系统(soc)，其中嵌入了缩放器，并且将输入图像的数字视频数据rgb转换成适合于在显示面板dis上显示的格式。主机系统19将时序信号vsync、hsync、de和mclk与数字视频数据一起发送至时序控制器16。

显示面板dis包括布置像素p的显示区域aa和围绕显示区域aa的非显示区域bz。显示区域aa包括由数据线d1至dm(m是正整数)和栅极线g1至gn(n是正整数)限定的像素p。每个像素p包括作为自发光元件的有机发光二极管。栅极驱动器可以以面板内栅极(gip)的形式放置在非显示区域bz中。显示区域aa和非显示区域bz由堤层bn分隔开。

图3是示意性地示出像素的电路结构的视图。

如图3所示，像素p连接至数据线d和栅极线g。每个像素p包括有机发光二极管oled、控制在有机发光二极管oled中流动的电流量的驱动晶体管dt、以及控制驱动晶体管dt的操作的编程部sc。编程部sc是一个或多个晶体管和一个或多个电容器的组合，并且控制主节点的电压，例如，驱动晶体管dt的栅电极和源电极的电压。在示例中，编程部sc响应于从栅极线g施加的栅极脉冲将从数据线d接收的数据电压写入其自身。驱动晶体管dt将与写入至编程部sc的数据电压量成比例的驱动电流提供至有机发光二极管oled。有机发光二极管oled与从驱动晶体管dt提供的驱动电流量成比例地发光。有机发光二极管oled包括阳极ano、阴极cat和插入在阳极ano与阴极cat之间的有机化合物层。阳极ano连接至驱动晶体管dt。

图4是示出根据本发明的有机发光显示器的视图。

参见图4，根据本发明的有机发光显示器包括形成在基板sub上的晶体管t和有机发光二极管oled。

基板sub可由玻璃或塑料材料制成。例如，基板sub可由诸如pi(聚酰亚胺)、pet(聚对苯二甲酸乙二酯)、pen(聚萘二甲酸乙二酯)和pc(聚碳酸酯)的塑料材料制成，并且可具有柔性。

遮光层ls和低电平电压线vss放置在基板sub上。遮光层ls设置为与晶体管t的半导体层，特别是沟道在平面上重叠，并用于保护氧化物半导体器件免受外部光的影响。

缓冲层buf设置为覆盖遮光层ls和低电平电压线vss。缓冲层buf用于阻挡从基板sub扩散的离子或杂质，并防止外部水分渗透。

半导体层act放置在缓冲层buf上。形成在缓冲层buf上以覆盖半导体层act的绝缘层被图案化，使得栅极绝缘层gi位于形成栅电极ge的位置。

栅极绝缘层gi用于使栅电极ge绝缘，并且可以由氧化硅层siox制成。

栅电极ge放置在栅极绝缘层gi上。

栅电极ge设置为面对半导体层act，其间具有栅极绝缘层gi。栅电极ge可由单层或多层组成，所述单层或多层由选自由铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、钽(ta)和钨(w)组成的组中的任何一种或它们的组合制成。

层间绝缘层in设置在缓冲层buf上以覆盖栅电极ge。层间绝缘层in用于使栅电极ge与源电极se和漏电极de绝缘，并且可由氧化硅层(siox)、氮化硅层(sinx)或它们的多层组成。

源电极se和漏电极de以及第二辅助连接部分cn2放置在层间绝缘层in上方。

源电极se和漏电极de隔开预定距离。源电极se经由穿过层间绝缘层in形成的源极接触孔与半导体层act的一侧接触。漏电极de经由穿过层间绝缘层in形成的漏极接触孔与半导体层act的另一侧接触。源电极se和漏电极de可以由单层或多层组成。如果源电极se和漏电极de由单层组成，则它们可由选自由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)组成的组中的任何一种或它们的组合制成。如果源电极se和漏电极de由多层组成，则它们可由两层的钼/铝-钕、钼/铝、钛/铝或铜/钼，或者三层的钼/铝-钕/钼、钼/铝/钼、钛/铝/钛、或钼钛/铜/钼钛组成。

第二辅助连接部分cn2连接至第一辅助连接部分cn1。而且，第二辅助连接部分cn2穿过缓冲层buf和层间绝缘层in形成并连接至低电平电压线vss。

半导体层act、栅电极ge以及源电极se和漏电极de构成晶体管t。

第一钝化层pas1位于晶体管t上方。第一钝化层pas1用于保护晶体管t，并且可由氧化硅层(siox)、氮化硅层(sinx)或它们的多层组成。

平坦化层oc位于第一钝化层pas1上。平坦化层oc用于通过消除下层结构中的不规则性来补偿基板sub上的不规则性，并且可由诸如光丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂或丙烯酸酯树脂的有机材料制成。如果需要，可省略第一钝化层pas1或平坦化层oc。

在平坦化层oc上，阳极ano和辅助电极ae位于显示区域aa中，并且电极图案ep位于非显示区域bz中。

阳极ano经由穿过第一钝化层pas1和平坦化层oc形成的接触孔连接至晶体管t的漏电极de。阳极ano由包括反射层的多层组成，并且可用作反射电极。反射层可由铝(al)、铜(cu)、银(ag)、镍(ni)、钼(mo)、钼钛(moti)等制成。

辅助电极ae可与阳极ano在同一层上由相同材料制成。在这种情况下，不需要执行用于形成辅助电极ae的单独工艺，由此减少了制造时间和成本。

电极图案ep将从电源部(未示出)提供的低电平电压evss施加至阴极cat。

阳极ano、辅助电极ae和电极图案ep可以以相同的工艺由相同的材料形成。

堤层bn和辅助堤层bna位于形成有阳极ano、辅助电极ae和电极图案ep的基板sub上。堤层bn标示每个像素p之间的边界。显示区域aa的外周边上的堤层bn将显示区域aa和非显示区域bz彼此分开。辅助堤层bna位于非显示区域bz中并防止非显示区域bz中的堰(未示出)的移动。堤层bn和辅助堤层bna可由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂或丙烯酸酯树脂的有机材料制成。

堤层bn可设置为暴露阳极ano的中心并覆盖阳极ano的侧边缘。期望阳极ano设计成具有尽可能大的暴露面积，以确保足够高的开口率。此外，堤层bn可设置为暴露辅助电极ae并覆盖辅助电极ae的侧面。

阻挡层br位于辅助电极ae上方。阻挡层br用于物理地分离稍后形成的有机发光层ol、阴极cat和第二钝化层pas2。换句话说，在辅助电极ae上的有机发光层ol、阴极cat和第二钝化层pas2可被阻挡层br物理地分开并且变得不连续。

有机发光层ol位于形成有阻挡层br的基板sub的上方。有机发光层ol可形成在基板sub的整个表面上。

辅助电极ae上的有机发光层ol被阻挡层br物理地分开。有机发光层ol被阻挡层br分开，并且在阻挡层br的相邻区域中暴露辅助电极ae的至少一部分。由阻挡层br分开的有机发光层ol的一部分位于阻挡层br的顶部上。

在非显示区域bz中形成不透水层a1，以覆盖有机发光层ol的边缘。不透水层a1可设置为覆盖非显示区域bz中的辅助堤层bna和电极图案ep，并且阻挡平坦化层oc产生的气体。不透水层a1可由诸如铝(al)的导电材料制成。

阴极cat位于有机发光层ol上方。阴极cat可在基板sub的整个表面上较宽地形成。阴极cat可由透明导电材料形成，例如ito(氧化铟锡)或izo(氧化铟锌)，并且可由足够薄以允许光通过的镁(mg)、钙(ca)、铝(al)、银(ag)或它们的合金制成。

在辅助电极ae上的阴极cat通过阻挡层br物理地分开。阴极cat被阻挡层br分开，并且在阻挡层br的相邻区域中暴露辅助电极ae的至少一部分。由阻挡层br分开的阴极cat的一部分位于阻挡层br的顶部上。

形成阴极cat以覆盖有机发光层ol，阴极cat的一端与辅助电极ae直接接触。也就是说，由阻挡层br隔开并暴露的阴极cat的一端与辅助电极ae的暴露的顶表面直接接触。这种结构可通过有机发光层ol和阴极cat的材料之间的阶梯覆盖性的差异来实现。例如，阴极cat可与辅助电极ae直接接触，因为它可由透明导电材料制成，该透明导电材料具有比有机发光层ol的材料更高的阶梯覆盖性。

阴极cat可覆盖非显示区域bz中的不透水层a1并且延伸到与电极图案ep紧邻的区域。因为不透水层a1由导电材料制成，所以电极图案ep接收的低电平电压evss通过不透水层a1提供至阴极cat。

第二钝化层pas2形成在阴极cat上。第二钝化层pas2可设置为覆盖显示区域aa的整个表面并覆盖非显示区域bz中的阴极cat。

图5至9是示出根据本发明的用于制造有机发光显示器的方法的视图。下面的参考图5至9的描述将集中于如何形成非显示区域。

参见图5，在平坦化层oc上形成电极图案ep。电极图案ep可与阳极ano同时形成。也就是说，形成阳极材料以覆盖平坦化层oc的侧面，然后将阳极材料图案化以具有暴露平坦化层oc的开口区域op，由此留下电极图案ep。开口区域op暴露平坦化层oc，因此有助于在显示面板dis的制造工艺中释放由诸如平坦化层oc的有机物质产生的气体。

参见图6，辅助堤层bna与堤层bn一起形成。

参见图7，形成有机发光层ol以覆盖阳极ano和堤层bn。接下来，形成不透水层a1以覆盖有机发光层ol的边缘、辅助堤层bna和电极图案ep。优选地，不透水层a1以完全覆盖开口区域op的方式形成。

参见图8，在不透水层a1上形成阴极cat。阴极cat可以以覆盖电极图案ep的方式形成。在形成阴极之后进行老化工艺。通过老化工艺，从阴极cat露出的不透水层a1被氧化为氧化铝(al2o3)。氧化铝(al2o3)比铝(al)提供更高的不透水性。也就是说，老化工艺使得开口区域op周围的不透水层a1具有更高的不透水性，并且允许覆盖电极图案ep的区域保持为铝金属的形式以保持高导电性。

参见图9，可形成第二钝化层pas2以覆盖不透水层a1。

本发明通过使用被配置为暴露平坦化层的电极图案，允许在制造显示面板的工艺中从平坦化层有效地除气。

此外，本发明可在制造显示面板之后防止水分渗透到平坦化层中，因为用作从平坦化层除气的路径的空间被金属图案覆盖。

尽管已经参考多个说明性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域技术人员可以设计出落入本公开内容的原理的范围内的许多其他修改和实施例。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求书的范围内，可以在主题组合布置的组成部件和/或布置中进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。