技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件；该器件具有复合结构的沟槽，沟槽的顶部有P型掺杂区，沟槽侧壁有绝缘层区，沟槽底部有P型掺杂区，沟槽底部P型掺杂区是由2个或多个掺杂的错位叠加刻蚀的沟槽底角构成，较传统沟槽型JBS肖特基器件，更容易实现深的、窄的、底角曲率半径大的沟槽，优化器件性能；另外，本发明的碳化硅肖特基器件的制程，与传统的沟槽型JBS肖特基器件的制程兼容，容易实现。
技术研发人员：关世瑛;王金秋
受保护的技术使用者：上海芯石半导体股份有限公司
技术研发日：2018.12.20
技术公布日：2019.03.22