一种阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

在显示技术领域，有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示器以其轻薄、自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(lcd)之后的第三代显示技术，而能够获得更大的开口率的顶发射oled显示器成为近年来研究的热点。

现有顶发射oled显示器通常由阳极层、发光功能层和阴极层组成，为了保证透光率，阴极层一般为较薄的透明阴极，但是这样的阴极层的导电能力差，在通电的过程中由于有阴极层电阻的存在会导致电压降低，导致屏幕的中心区域的亮度低于屏幕的边缘区域的亮度，使得屏幕的中心区域亮度偏暗，目前电压降的问题主要依靠对驱动电路的修正进行解决，但是这种解决方法难以有效改善电压降的问题。

因此，本发明提供一种能够有效改善电压降的问题的阵列基板及其制备方法、显示装置显得尤为重要。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板通过设置辅助阴极层改善阵列基板上的阴极电阻分布，改善电压降的问题，提高了发光的均匀性，提升产品良率。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上具有多个像素区间，每一所述像素区间上设置有阳极层，相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层；所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层，所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口，所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口；所述辅助阴极层上设有搭接部，所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内；所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层，位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域；所述发光功能层上设有阴极层，所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触。

在上述阵列基板中，由于阴极层通过断裂区域与搭接部相接触，而搭接部具有导电性、且位于像素定义层在辅助阴极层上形成的辅助开口内，故阴极层通过搭接部与辅助阴极层之间电连接，此时，与现有技术的阵列基板相比，上述阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层，另一部分是与阴极层相导通的辅助阴极层，上述阵列基板上除具有辅助阴极层的区域之外的区域的阴极电阻仅包括原有的阴极层，即阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻发生变化，从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布，进而能够降低阵列基板上的电压降，并且阴极层通过断裂区域与搭接部相接触，还可以改善显示亮度，提高显示均匀性等特性，进而提升显示品质。

可选地，所述搭接部与所述像素定义层之间存在间隔。

可选地，所述位于所述搭接部上的发光功能层断开成多个部分，相邻的部分之间相互独立、且存在间隙，部分所述阴极层填充在所述间隙内。

可选地，所述搭接部的材料为碳/聚四氟乙烯。

可选地，所述搭接部的高度不大于所述像素定义层的高度。

可选地，所述辅助阴极层的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。

另外，本发明还提供了一种显示装置，包括如任一项上述技术方案所述的阵列基板。

另外，本发明还提供了一种如权任一项上述技术方案所述的阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板的像素区间上形成阳极层，在衬底基板的相邻的所述像素区间之间的区域内形成辅助阴极层，在阳极层以及辅助阴极层上形成像素定义层，所述像素定义层在包括形成于阳极层上的像素开口以及形成于所述辅助阴极层上的辅助开口；

在所述辅助阴极层上形成搭接部，所述搭接部位于所述辅助开口内；

在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层，并通过搭接部膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂；

在所述发光功能层形成阴极层，所述阴极层通过所述发光功能层的断裂区域与所述搭接部相接触。

可选地，在衬底基板上形成阳极层、辅助阴极层以及像素定义层之前，制备方法还包括在衬底基板上形成栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层、树脂层以及平坦层。

可选地，在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层，并通过搭接部受热膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂，具体包括：

通过热蒸镀或者喷墨打印方式在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层；

对衬底基板进行升温，使搭接部受热膨胀以使所述搭接部上的发光功能层断裂。

附图说明

图1为本发明提供的一种衬底基板的结构示意图；

图2为本发明提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；

图3a-3e为本发明提供的阵列基板的制备方法的状态示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1以及图3c所示，一种阵列基板，包括衬底基板1，衬底基板1上具有多个像素区间，每一像素区间上设置有阳极层2，相邻的像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层3；阳极层2以及辅助阴极层3上设置有像素定义层4，像素定义层4在阳极层2上形成有像素开口41，像素定义层4在辅助阴极层3上形成有辅助开口42；辅助阴极层3上设有搭接部5，搭接部5具有导电性、且位于辅助开口42内；阳极层2、像素定义层4、辅助阴极层3以及搭接部5上设有发光功能层6，位于搭接部5上的发光功能层6具有断裂区域；发光功能层6上设有阴极层7，阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触。

在上述阵列基板中，由于阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触，而搭接部5具有导电性、且位于像素定义层4在辅助阴极层3上形成的辅助开口42内，故阴极层7通过搭接部5与辅助阴极层3之间电连接，此时，与现有技术的阵列基板相比，上述阵列基板上具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层7，另一部分是与阴极层7相导通的辅助阴极层3，上述阵列基板上除具有辅助阴极层3的区域之外的区域的阴极电阻仅包括原有的阴极层7，即阵列基板上具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻发生变化，从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布，进而能够降低阵列基板上的电压降，并且阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触，还可以改善显示亮度，提高显示均匀性等特性，进而提升显示品质。

为了进一步提高显示品质，如图1以及图3c所示，一种优选实施方式中，搭接部5与像素定义层4之间存在间隔。

在上述阵列基板中，通过搭接部5与像素定义层4之间存在间隔一方面，该间隔使得搭接部5与像素定义层4之间存在一定的缓冲区间，能够避免在发光功能层6断裂过程中搭接部5的膨胀变形等变化对像素定义层4造成影响，从而减小对像素开口41的影响，提高产品良率；另一方面，该间隔内设置的发光功能层6使得发光功能层6的分布较为均匀，改善显示亮度，提高显示品质。

为了进一步改善阵列基板上的阴极电阻分布，如图3e所示，一种优选实施方式中，位于搭接部5上的发光功能层6断开成多个部分，相邻的部分之间相互独立、且存在间隙，部分阴极层7填充在间隙内。

在上述阵列基板中，具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层7，另一部分是与阴极层7相导通的辅助阴极层3，而由于接部上的发光功能层6断开成多个部分，断裂部分61、断裂部分62、断裂部分63、断裂部分64，相邻的断裂部分之间相互独立、且存在间隙，部分阴极层7填充在间隙内，而此时与辅助阴极层3相导通的阴极层7包括填充在每一间隙内的部分阴极层7，使得阵列基板上具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻发生更大的变化，从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布，进而能够降低阵列基板上的电压降。

为了保证阴极层7与辅助阴极层3之间电连接的可靠性，一种优选实施方式中，搭接部5的材料可以为碳/聚四氟乙烯。

在上述阵列基板中，由于发光功能层6的断裂是通过搭接部5的膨胀变形而形成的，为了保证搭接部5的功能，搭接部5的材料需具备良好的导电性能并且有较好的热膨胀性能，优选的是碳/聚四氟乙烯，碳/聚四氟乙烯不仅具备良好的导电性能和较好的热膨胀性能，而且其表面自由能很低，几乎所有的材料都不能沾附在其表面，保证了发光功能层6的断裂时断裂的部分发光功能层6能够从搭接部5上脱落，进而能够使得阴极层7与辅助阴极层3之间更好地相接触，从而保证阴极层7与辅助阴极层3之间电连接的可靠性。

为了避免搭接部5的引入对阵列基板造成影响，如图1以及图3a-3e所示，一种优选实施方式中，搭接部5的高度不大于像素定义层4的高度。

在上述阵列基板中，搭接部5的高度不能比像素定义层4的高度大，搭接部5的高度可以小于像素定义层4的高度，搭接部5的高度至多和像素定义层4的高度一样，像素定义层4的高度可以为0.1um-100um，根据阵列基板的具体情况选择像素定义层4的高度，而搭接部5的高度根据像素定义层4的高度以及阵列基板的具体情况进行选择。

一种优选实施方式中，辅助阴极层3的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。

在上述阵列基板中，在选择辅助阴极层3的材料时，可以是钼、铝、铜、银、铌中的一种，也可以是钼、铝、铜、银、铌中多种的组合，还可以与阳极层2采用相同的材料，辅助阴极层3的具体材料根据阵列基板的实际情况进行选择。

另外，本发明还提供了一种显示装置，包括如任一项上述技术方案的阵列基板。

在上述显示装置中，由于阵列基板能够改善阴极电阻分布，降低电压降，还可以改善显示亮度，提升显示品质，因此，具有该阵列基板的显示装置的显示品质较好，产品良率较高。

另外，如图2所示，本发明还提供了一种如权任一项上述技术方案的阵列基板的制备方法，包括：

步骤s201，如图3a所示，在衬底基板1的像素区间上形成阳极层2，在衬底基板1的相邻的像素区间之间的区域内形成辅助阴极层3，如图3b所示，在阳极层2以及辅助阴极层3上形成像素定义层4，像素定义层4在包括形成于阳极层2上的像素开口41以及形成于辅助阴极层3上的辅助开口42；

步骤s202，如图3c所示，在辅助阴极层3上形成搭接部5，搭接部5位于辅助开口42内；

步骤s203，如图3d所示，在阳极层2、像素定义层4、辅助阴极和搭接部5上形成发光功能层6，如图3e所示，并通过搭接部5膨胀以将搭接部5上的发光功能层6断裂；

步骤s204，如图1所示，在发光功能层6形成阴极层7，阴极层7通过发光功能层6的断裂区域与搭接部5相接触。

在上述制备方法中，通过形成与阴极层7电连接的辅助阴极层3改善阵列基板上的阴极电阻分布，改善电压降的问题，提高了发光的均匀性，提升产品良率，具体过程为：通过步骤s201，采用图案化工艺(包括成膜、曝光、刻蚀、显影、干燥等工艺)依次在衬底基板1上的像素区间上形成阳极层2、在衬底基板1的相邻的像素区间之间的区域内形成辅助阴极层3、在阳极层2以及辅助阴极层3上形成像素定义层4，此时，阳极层2与辅助阴极层3间隔设置，其中，辅助阴极的厚度为100nm-700nm，像素定义层4在包括两种开口，分别是形成于阳极层2上的像素开口41和形成于辅助阴极层3上的辅助开口42；然后通过步骤s202，采用曝光工艺在辅助阴极层3上形成搭接部5，搭接部5位于辅助开口42内，搭接部5的高度可根据实际需要选择在0.1um-100um；接着通过步骤s203，在阳极层2、像素定义层4、辅助阴极和搭接部5上形成发光功能层6，并通过搭接部5膨胀以将搭接部5上的发光功能层6断裂；最后通过步骤s204，采用蒸镀或者溅射镀膜的方式在发光功能层6形成阴极层7，阴极层7通过发光功能层6的断裂区域与搭接部5相接触，其中，阴极层7可以使用单层材料包括izo(铟锌氧化物)、ito(氧化铟锡)、azo(铝掺杂的氧化锌)中的一种，厚度要求在300-1000nm，也可以采用复合材料，复合材料制成复合材料包括：镁或铝与izo、ito、azo等材料组成的复合材料。

一种优选实施方式中，在衬底基板1上形成阳极层2、辅助阴极层3以及像素定义层4之前，制备方法还包括在衬底基板1上形成栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层、树脂层以及平坦层。

在上述制备方法中，在衬底基板1上可以预先形成有平坦层，其中，平坦化层材料可以为树脂、聚酰亚胺、有机硅、二氧化硅等材料，也可以采用氮化硅材料，在形成平坦化层之前还可以形成tft(薄膜晶体管)图案，包括以下步骤：在衬底基板1上形成栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层以及树脂层，具体地，通过在基板上多次重复成膜、曝光、刻蚀、显影工艺来形成厚度为1um-100um的tft图案，常见的成膜工艺包括溅射(sputter)、化学气相沉积(pecvd)、蒸镀、旋涂、印刷、喷墨打印，通过上述制备方法能够较为简单方便地提供衬底基板1。

一种优选实施方式中，如图3e所示，在阳极层2、像素定义层4、辅助阴极和搭接部5上形成发光功能层6，并通过搭接部5受热膨胀以将搭接部5上的发光功能层6断裂，具体包括：

通过热蒸镀或者喷墨打印方式在阳极层2、像素定义层4、辅助阴极和搭接部5上形成发光功能层6；

对衬底基板1进行升温，使搭接部5受热膨胀以使搭接部5上的发光功能层6断裂。

在上述制备方法中，首先，通过热蒸镀或者喷墨打印方式形成发光功能层6，发光功能层6的厚度约为330nm，其中制备发光功能层6的工艺并不仅限于热蒸镀或者喷墨打印方式，还可以为其他制备工艺；而由于在发光功能层6制备时其工艺温度约为40℃，此时，搭接部5已经有一定的膨胀变形，然后在发光功能层6形成后继续升高温度使搭接部5进一步膨胀变形使搭接部5上的发光功能层6断裂，从搭接部5上脱落的发光功能层65滑落到搭接部5与像素定义层4之间的间隙中，通过上述制备过程能够较为简单快捷地形成所需发光功能层6。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。