用于晶体管的补偿设备的制作方法

本公开一般性地涉及用于高频晶体管的设备。

背景技术：

在高频应用领域中、尤其在通信系统中的开发越来越趋向于具有更小尺寸的放大器电路，同时功率更高并且同时满足达到要处理的信号的更大带宽的要求。为了将相应的放大器电路或其他高频电路的空间要求保持得紧凑，放大器电路的集成程度逐步提高。对于功率放大器电路而言，这意味着不仅在效率方面、而且在线性度和电路稳定性方面的极大的挑战。这在doherty型的功率放大器电路方面是适用的。所述功率放大器电路使用于多种应用领域和频率范围，例如在移动无线电系统的领域中使用，例如5g系统和mimo系统，或者在无线电广播领域中以及在其他无线应用中使用，如wlan。

许多功率放大器电路的组成部分是晶体管，尤其是功率晶体管和/或高频晶体管。对于一些晶体管类型，在晶体管的控制端子与负载端子之间的电容会引起不期望的反馈特性，该反馈特性会导致不期望的效应，例如在晶体管运行时功率放大器电路的不稳定性。

确保晶体管的稳定性的常规方式在于添加稳定电阻，用于衰减可能出现的振荡。在一些情况中，将具有栅极端子的晶体管用作为晶体管。在这些情况中，可以将所述电阻与晶体管的栅极端子连接。然而在该情况下，电阻会引发对功率电路不利的附加效应，例如功率电路的放大系数会因电阻减小和/或电阻会导致放大作为电路频率的函数的非理想的特性，这尤其对于doherty放大器电路而言会成问题。这尤其适用于如下情况：其中使用可以具有强的反馈特性的氮化镓晶体管(gan晶体管)。作为这种放大器电路的放大系数随着频率的大的变化的结果，所使用的输入匹配网络在一些情况下会失配，这会导致放大的进一步损失和可能会导致系统效率的进一步损失，并且加难用于宽频率范围的电路设计。

为了补偿上文所描述的效应，在一些应用情况中可以使用反馈系统网络，所述反馈系统网络在晶体管的控制端子与负载端子之间包括至少一个电阻、电感和电容(rlc网络)。附加电容在此情况下用于直流隔离，因为一般而言负载端子和控制端子处于不同的电势上。然而，反馈网络的所述附加电容同样会引起不期望的、不利的效应。

技术实现要素：

提供根据本发明的设备。下面的描述限定其他的实施例。

根据一个实施例，提供一种设备，该设备包括晶体管，该晶体管具有至少一个控制端子、第一类型的至少一个负载端子和第二类型的至少一个负载端子。在此情况下，该晶体管在至少一个控制端子与第一类型的至少一个负载端子之间具有寄生电容。此外，该设备包括：第一电感，该第一电感与至少一个控制端子传导地连接；以及第二电感，该第二电感与第一类型的至少一个负载端子传导地连接。在此情况下，第一电感与第二电感电磁耦合，并且第一电感、第二电感和电磁耦合配置为，在谐振频率附近的范围中至少部分地补偿寄生电容的作用。

根据另一实施例，设备包括至少一个晶体管。所述晶体管包括：至少一个控制端子面；至少一个负载端子面；至少一个第一接合线，所述第一接合线具有第一接合线电感；和至少一个第二接合线，所述第二接合线具有第二接合线电感。在此情况下，至少一个第一接合线与至少一个控制端子面传导地连接，并且至少一个第二接合线与至少一个负载端子面传导地连接。此外，该设备包括至少一个第三接合线，所述第三接合线具有始端和末端，其中至少一个第一接合线与至少一个第三接合线的第一部分电磁耦合，并且至少一个第二接合线与至少一个第三接合线的第二部分电磁耦合。此外，至少一个第三接合线与至少一个第一接合线和至少一个第二接合线电绝缘，并且始端和末端与参考电势传导地连接。

根据一个实施例，该设备包括至少一个晶体管，所述晶体管与至少一个控制端子面和至少一个负载端子面导电地连接。此外，该设备包括至少一个控制接触面和至少一个负载接触面以及多个第一接合线，所述第一接合线分别与控制端子面和控制接触面导电地连接。此外，该设备包括：多个第二接合线，所述第二接合线分别与至少一个负载端子面和至少一个负载接触面导电地连接；和多个第三接合线，所述第三接合线分别具有始端和末端。在此，始端和末端分别与参考电势传导地连接，并且多个第三接合线中的每个第三接合线与多个第一接合线和多个第二接合线电绝缘。附加地，多个第三接合线和多个第一接合线具有第一互感，并且多个第三接合线和多个第二接合线具有第二互感。

附图说明

上述概要仅理解为对一些可能的实施方案的简要概览，而不能解释为限制性的。尤其地，其他实施例可以使用与上文所阐述的特征不同的特征。

图1示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

图2示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

图3示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

图4示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

图5示意性地示出了比较示例。

图6示意性地示出了根据不同的实施例的图4的电路的可能的实施方案。

图7示出了图5的比较示例的作为频率的函数的不同的稳定参数的仿真。

图8示出了根据图6的实施例的作为频率的函数的不同的稳定参数的仿真。

具体实施方式

在下文中，参照所附的附图详细地描述不同的实施例。这些实施例仅视为示例，而不能解释为是限制性的。例如，在其他实施例中，所描述的特征或部件中的一些可以取消和/或通过替选的特征或部件代替。不同的实施例的特征或部件可以组合，以便形成另外的实施例。关于一个实施例描述的变型方案和修改方案也可以应用于其他实施例。此外，可以提供与所描述的或所示出的特征或部件不同的特征或部件，例如在常规的功率放大器电路或高频电路中使用的特征或部件。

在这些附图中，相同的附图标记表示相同的或相似的元件。这些附图是不同的实施例的示意性表示。在附图中示出的元件不一定合乎比例地示出。更确切而言，在附图中示出的不同元件描绘为，使得其功能和一般目的对于本领域技术人员而言可以理解。

所描述的技术和设备可以使用于广阔的应用领域中。例如，晶体管的稳定化如下文所描述的那样结合移动无线电系统、例如5g和mimo系统使用，但也可以在许多应用领域中、例如不仅在现代移动系统和工业系统中、而且在家庭领域中使用。所描述的技术也可以应用于功率放大器的领域，应用于现代高功率技术、如gan系统的领域中。该设备同样可以结合所谓的智能晶体管使用。智能晶体管是如下晶体管，所述晶体管配备有多个诊断能力和保护特征，以便辨识不同的干扰条件。由此，可以防止过载和短路事件，由此可能的是，将智能晶体管成本和结构方式优化地设计，并且要求所述智能晶体管承受直至热学和电学极限的负荷。

在附图中示出或在下文中描述的直接连接或耦合、即没有居间的元件的电连接或耦合(例如简单的金属印制导线)也可以通过间接连接或耦合实现，即包括一个元件或多个附加的居间的元件的连接或耦合，并且反之亦然，只要连接或耦合的一般性的功能、如提供电压、提供电流或提供控制信号基本上得以维持。

传导地连接表示如下耦合，该耦合能够实现直流电压和/或交流电压的传输。传导的连接例如可以借助于连续的金属导线实现。传导的连接例如也可以借助于传导的面实现。

一般而言，在本申请的上下文中，晶体管具有一个或多个控制端子和两个或更多个负载端子。晶体管的断开和闭合(晶体管的操作)可以通过将一个或多个信号施加到一个或多个控制端子上来控制。当晶体管闭合时，该晶体管在至少两个其负载端子之间提供低阻的连接，使得电流可以在这些负载端子之间流动。当晶体管断开时，该晶体管在其负载端子之间展示出截止行为，即该晶体管是高阻的，使得基本上没有电流可以在负载端子之间流动，例如除了在实际设备中可能发生的不期望的效应、如漏电流等之外。

许多晶体管具有在闭合状态与断开状态之间的过渡区域，在该过渡区域中晶体管的逐渐断开可以借助于一个或多个控制端子来控制。一些晶体管至少在过渡区域的一部分中可以具有在控制端子信号与至少两个负载端子之间的连接的欧姆性(ohmigkeit)之间的线性的相关性。在一些放大器装置中，晶体管在过渡区域的所述线性部分中运行。

一些晶体管在各个端子之间会具有寄生的、即不期望的电容。例如，在至少一个控制端子与至少一个负载端子之间会出现寄生电容，和/或在第一负载端子与第二负载端子之间会出现寄生电容。

在一些实施例中，晶体管可以是尤其用于高频和功率应用的晶体管(rf功率晶体管)。在一些实施例中，晶体管可以通过使用场效应晶体管(fet)、如mos晶体管(mosfet)、带有绝缘栅的双极型晶体管(igbt)、结型场效应晶体管(jfet)、双极型晶体管(bjt)、氮化镓晶体管(gan晶体管)、碳化硅晶体管(sic晶体管)或具有高的电子迁移率的晶体管(hemt)来实现。在这种情况下，负载端子可以包括第一类型的至少一个负载端子和第二类型的至少一个负载端子。

在场效应晶体管的情况下，第一类型的至少一个负载端子可以对应于一个漏极端子或多个漏极端子，并且第二类型的至少一个负载端子可以对应于一个源极端子或多个源极端子，而至少一个控制端子可以对应于一个栅极端子或多个栅极端子。

在双极型晶体管(bipolar-transistor)或具有绝缘栅的双极型晶体管的情况下，第一类型的至少一个负载端子可以对应于一个集电极端子或多个集电极端子，和第二类型的至少一个负载端子可以对应于一个发射极端子或多个发射极端子。一个/多个发射极端子和一个/多个集电极端子也可以在第一类型与第二类型之间互换。在双极型晶体管的情况下，至少一个控制端子可以对应于一个基极端子或多个基极端子。在具有绝缘栅的双极型晶体管的情况下，至少一个控制端子可以对应于一个栅极端子或多个栅极端子。

该设备可以包括管芯(die)。用管芯表示半导体芯片，该半导体芯片也可以与其他半导体芯片组合。

该设备可以包括芯片壳体。该芯片壳体可以提供对半导体芯片包括连接部位、例如引线、引脚或球在内的包封。这种芯片壳体的众多变型形式对于本领域技术人员而言是已知的，这些变型形式在其形状、所使用的材料、连接部位的数量和布置和其他特性方面不同。

在一些晶体管中，会出现所谓的寄生的、即不期望的或因设计造成的、但不必要的电容。这样的寄生电容尤其会出现在晶体管的不同的端子之间。例如，寄生电容会出现在控制端子与负载端子之间。如上文所述，这些寄生电容在场效应晶体管中会出现在栅极端子与漏极端子之间。在这些情况下，提及栅极-漏极电容，常常用cgd表示。在另外一些情况下，电容会出现在栅极端子与源极端子之间。在这些情况下，提及栅极-源极电容，常常用cgs表示。在其他类型的晶体管中，相应的电容会出现在不同的端子之间。

用本申请的意义上的电感表示如下器件或器件的如下区域，其具有电感所显现的特性。

结合本申请的电感的示例可以是线圈、印制导线、印制导线部段、个别导线、个别接合线、多个接合线和/或个别或多个接合线的部段。这样的列举并不解释为限制性的，而是仅用于阐述。电感特性可以通过构件的改变、尤其构件几何形状的改变而改变。

结合本说明书，将电磁耦合或互感理解为两个或多个空间上相邻的电感由于电磁相互作用产生的相互的磁影响。定量地，在两个电感之间的电磁耦合或互感可以借助于耦合系数来描述。

在两个电感之间的耦合系数的符号和数值与许多参数有关并且可以通过这些参数的改变而改变，例如通过改变电感的距离、布置和形状以及相应的几何特性，例如电感的传导元件的尺寸和形状。

谐振频率结合本申请理解为振荡回路的谐振频率，例如电容连同电感和/或电阻的振荡回路的谐振频率。

在图1、图2、图3和图4中分别示出晶体管1，该晶体管与参考电势5、输入匹配网络(input-matching-network)8和输出匹配网络(output-matching-network)9耦合。晶体管1具有控制端子2、第一类型的负载端子3和第二类型的负载端子4。在控制端子2与第一类型的负载端子3之间，晶体管1具有第一寄生电容6。此外，晶体管1可以附加地在控制端子2与参考电势5之间具有第二寄生电容7。此外，晶体管1可以具有在图1至4中未示出的其他寄生电容。

在一些实施例中，晶体管1可以是功率晶体管。控制端子2可以是栅极端子，第一类型的负载端子3可以是漏极端子，和第二类型的负载端子4可以是源极端子。在该实施方式中，寄生电容6称作为栅极-漏极电容，cgd。

图1示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

在所示的实施例中，该电路除了上文所述的晶体管1之外还具有反馈网络10，该反馈网络包括第一电感11和第二电感12，其中第一电感11和第二电感12具有电磁耦合13。

所述电磁耦合可以配置为，在晶体管1运行时在谐振频率附近的范围中至少部分地补偿第一寄生电容6的作用。这可以通过适当地选择耦合、例如通过设置印制导线和适当地选择第一电感11和第二电感12进行。

在频率范围中对第一寄生电容6的至少部分的补偿于是在如下情况下存在：在特定的带宽内的中间频率附近设计耦合的元件，使得所述元件与第一寄生电容6形成振荡回路，其中该振荡回路适合于在该带宽内补偿第一寄生电容6的影响，使得该电路如不存在第一寄生电容6那样有效地表现，并且该电路因此如在该频率范围中在控制端子2与第一类型的负载端子3之间不存在寄生连接那样表现，或寄生电容的影响至少减小。

这些和在下文中阐述的实施例中的一些实施例的优点可以在于，对于放大器电路，例如对于doherty放大器电路可以实现在作为频率的函数改变阻抗时的近似理想的特性。这可以简化用于宽频率范围和在高频情况下的有效率的放大器的设计。

根据电路的所期望的频率范围和功率等级，电感可以借助于接合线提供，如也根据下面的实施例所阐述的那样。

根据这些和在下文中描述的实施方式的电路可以提供电感性反馈的优点，该反馈是直流隔离的。

直流隔离表示：该反馈对于直流电压或低频电压起电绝缘的作用。例如，由于在控制端子与第一类型的负载端子之间的直流隔离能够可行的是，省去在rlc网络中所需的附加的用于直流隔离的电容。

根据不同的上述的以及下文所描述的实施方式的电路可以具有如下特性，由于用于补偿寄生电容6的元件，该电路无需附加的电阻就能实现稳定可能不期望的振荡特性，如这例如由于在rlc补偿网络中的电容和电感的串联电路会出现的那样。

其他效果可以在于作为负载的函数的近似理想的放大特性以及降低的损耗和因此提高的效率。

图2示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

在图2中示出具有晶体管1的电路，针对晶体管1的上述实施方案相应地适用于该晶体管。

在图2中示出的电路包括第一电感211、第二电感212、带有第一端子221和第二端子222的第三电感213以及带有第三端子223和第四端子224的第四电感214。第二端子222与第三端子223借助于第一线路215传导地连接。第一端子221与第四端子224借助于第二线路216传导地连接。在图2的示出的实施例中，第一线路215与参考电势217耦合。在一些实施例中，也替选地或附加地，第二线路216也能够与参考电势217耦合。该参考电势217可以对应于晶体管1的参考电势5。

在第一电感211与第三电感213之间存在电磁耦合，以及在第二电感212与第四电感214之间存在电磁耦合。由此，该电路可以具有总耦合，所述总耦合包括第一电感211、第二电感212、第三电感213和第四电感214的相应的相互间的耦合，它们在其共同作用中可以提供在第一电感211与第二电感212之间的有效耦合，所述有效耦合可以是用于在图1中示出的耦合13的实施例。

这些实施例同样可以提供上文所述的优点。此外，线路215、216可以提供在实现该电路时的灵活性，因为线路与附加的电感的连接能够实现用于设计相应的电感和其布置的更多自由度。线路耦合到参考电势217的可能性可以提供在实现时的简化，如下文也结合其他实施例所阐述的那样，其中参考电势也可以附加地或替代地在其他部位、例如在216处进行。

结合图2所描述的实施方式尤其适合于借助于接合线构成电感，但并不限于此。转换例如同样可以借助于平面的电感、线圈和变压器进行。

反馈网络210可以在没有传导连接的情况下或在与参考电势、例如接地传导连接的情况下构成。这能够实现另外的设计自由度和因此能够实现设计优点。例如，示出的线路215、216中的一个或两个线路可以通过与传导面的传导连接来构成。

图3示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

在图3中再次示出晶体管1，针对图1中的晶体管1的实施例相应地适用于该晶体管，并且该晶体管在所示出的实施例中在类似的电路关系中使用。

在图3中示出的实施例包括反馈网络310。第一电感311的端子313与控制端子320传导地连接，和第二电感312的端子314与第一类型的功率端子322传导地连接。通过电感311、312能够实现的是，端子320和322与交流电压信号、例如rf信号隔离。因此能够实现的是，经由端子320、322将直流电压与晶体管1耦合，所述直流电压可以与附加存在的交流电压信号叠加。由此，例如可以在晶体管的控制端子2上将由输入匹配网络8提供的rf信号与在端子320上提供的直流电压信号叠加。在一些实施例中，通过直流电压信号，当晶体管在线性状态中运行时，可以选择放大。在一些实施例中，晶体管1是场效应晶体管。于是，控制端子320可以是栅极控制端子，第一类型的功率端子322可以是漏极供给端子。

在图3中，电感性耦合313替选地以并联电路的形式实现，所述电感性耦合在根据图1的实施例中分别与输入匹配网络(imn；英语为“inputmatchingimpedance”)8和输出匹配网络(omn；英语为“outputmatchingimpedance”)9串联连接。这提供另一用于补偿寄生电容6的可能性。该电路也可以通过适当地选择相应的电感和/或耦合系数的值来补偿晶体管中的寄生电容的反馈。与控制端子320和第一类型的功率端子322的在耦合意义上的传导的连接仅理解为示例。尤其插入的部件或其他供给电压是可行的。

图4示意性地示出了根据不同的实施例的电路。

在图4中再次示出晶体管1，针对图2中的晶体管1的实施方案相应地适用于该晶体管，并且该晶体管在示出的实施例中在类似的电路关系中使用。

在图4中示出的实施例中，第一电感411的端子415与控制端子420传导地连接，和第二电感412的端子416与第一类型的功率端子422传导地连接。在一些实施例中，控制端子420可以是栅极控制端子，第一类型的功率端子422可以是漏极端子。

以此方式，电感性耦合网络410可以如在图4中示出的那样以并联电路的形式实现，该电感性耦合网络包括第三电感413和第四电感414，该电感性耦合网络在图2中分别与输入匹配网络(min)8和输出匹配网络(omn)9串联连接地示出。这在一些实施例中提供补偿寄生电容6的更大的设计自由度。

彼此电磁耦合的电感可以具有不同类型的电磁耦合。

这样，第一电感411和第三电感413的电磁耦合以及第二电感412和第四电感414的电磁耦合可以分别具有正的耦合系数。

图5示意性地示出了实施例的比较示例，所述实施例于是参照结合图6在下文中予以描述。

在图5中示出如下设备，该设备例如可以施加在电路板上。该电路板可以包括在参考电势540上的基本上传导的平面，其中参考电势可以是接地电势。在绝缘体501的背侧上存在至少一个晶体管。在图5中示出在绝缘体501的背侧上两个晶体管在壳体中的配置。绝缘体501附加地包括：至少一个控制端子面，在该情况下为第一控制端子面504和第二控制端子面503；以及至少一个第一负载端子面502。

此外，提供两个另外的绝缘体507、508。在绝缘体中的一个绝缘体507上存在至少一个控制接触面505，在另一绝缘体508上存在至少一个另外的负载端子接触面506。

这里所描述的绝缘体501、507、508仅示例性地示出，替选的实施方案是可行的。因此，基本上传导的平面也可以在参考电势540上构成为，使得因中断出现绝缘作用。

通过接触面505、506和可能的其他接触面，可以建立与其他未示出的电路部分的接触。

至少一个第一接合线511将至少一个控制端子面503、504传导地与至少一个控制接触面505连接。至少一个第二接合线520将至少一个负载端子面502传导地与至少一个负载接触面506连接。这些连接尤其可以通过多个第一接合线512实现，所述第一接合线可以具有与这里示出的类似的几何形状，但也可以具有不同的几何形状。在图5中这以多个第一接合线512和多个第二接合线521为例示出。

图6示意性地示出了根据不同的实施例的图4的电路的可能的实施方案。

在图6中采用图5中的比较示例的附图标记，其中相同的附图标记表示相同的元件。

图6从根据图5所讨论的设备出发示出根据不同的实施例的图4的电路的可能的实施方案。根据一些实施例，从图4中已知的耦合网络410可以借助于至少一个第三接合线630或多个第三接合线631实现。至少一个接合线630或多个第三接合线631分别具有始端633和末端634。始端和末端与参考电势540传导地连接。至少一个第三接合线630或多个第三接合线631与在图4中同样所示的多个第一接合线512和多个第二接合线521分别电绝缘。在图4中描述的第一电感411的作用根据一些实施例可以由至少一个第一接合线511或多个第一接合线512引起，第二电感412的作用可以通过至少一个第二接合线520或多个第二接合线521引起。通过至少一个第三接合线630的布置和与参考电势540的连接，由于在至少一个第三接合线630的不同区域处的几何特性，可以实现对应于图4中的第三电感413和第四电感414的效果。根据在图6中示出的一些实施方式，该作用通过多个第三接合线631提供，所述第三接合线分别在多个第一接合线512的区域中与多个第一接合线512具有互感，在多个第二接合线521的区域中与多个第二接合线521具有互感，所述互感适合于如结合图4所描述的那样起作用，这尤其包括至少一个第一接合线511与至少一个第三接合线630的第一部分的电磁耦合和至少一个第二接合线520与至少一个第三接合线630的第二部分的电磁耦合。

在至少一个第三接合线630与至少一个第一接合线511之间以及在至少一个第三接合线630与至少一个第二接合线520之间的电磁耦合尤其可以配置为，在谐振频率附近的范围中至少部分地补偿在至少一个控制端子面504与至少一个负载端子面502之间的寄生电容的作用。

这里作为示例所阐述的接合线接线图可以应用于呈不同结构形式的多个晶体管。这此外包括装入陶瓷壳体中的晶体管，但也包括直接施加在电路板上的解决方案以及类似的基底/材料技术。在此情况下，接合线可以用于管芯之间的连接。示出的接合线521、512也可以在芯片壳体内、例如在陶瓷壳体内伸展。

在图6中示出的设备可以作为器件和在集成电路(ic)中实现，但其他的实施方式也是可能的。

图7示出了对应于图5的比较示例的作为频率的函数的不同的稳定参数的仿真。

在图7中针对特定的频率范围绘制了根据对应于图5的比较示例的电路的稳定参数的变化曲线。示出了k因数701以及几何形状的稳定参数μ’702和μ1703，其可以用于估计：对于特定的阻抗值是否必须将电路的不稳定的特性考虑在内。在此情况下，这三个参数的值在整个示出的值域上低于1，因此会存在不稳定的特性。

图8示出了根据一个实施例的作为频率的函数的不同的稳定参数的仿真。

在图8中针对特定的频率范围绘制了根据不同的实施例的电路的稳定参数的变化曲线。再次示出了k因数801以及几何形状的稳定参数μ’802和μ1803。通过根据不同的实施例的反馈网络可以显著地改进稳定特性。同样可能的是，可以实现谐振频率附近的与参数无关的稳定性，这对于超过1的稳定值能够是这种情况。在图8中，这在4ghz附近的频率范围中是这种情况。

在图7和图8中示出的仿真曲线仅仅用于阐述，尤其是变化曲线形状和数值并不解释为限制性的并且取决于参数的选择。

尽管在该说明书中说明和描述了具体的实施例，但具有常用的专业知识的人员会认识到，可以选择多种替选的和/或等效的实施方案作为在该说明书中示出和描述的特定的实施例的替代方案，而不偏离示出的本发明的范围。意图在于，本申请覆盖这里所讨论的特定的实施例的所有适应方案或变型方案。

附图标记表

1晶体管

2控制端子

3第一类型的负载端子

4第二类型的负载端子

5参考电势

6第一寄生电容

7第二寄生电容

8输入匹配网络

9输出匹配网络

10反馈网络

11第一电感

12第二电感

13电磁耦合

210反馈网络

211第一电感

212第二电感

213第三电感

214第四电感

215第一线路

216第二线路

217参考电势

221第一端子

222第二端子

310反馈网络

311第一电感

312第二电感

313第一电感的端子

314第二电感的端子

320控制端子

322第一类型的功率端子

410耦合网络

411第一电感

412第二电感

413第三电感

414第四电感

415第一电感的端子

416第二电感的端子

420控制端子

422第一类型的功率端子

501绝缘体

502负载端子面

503控制端子面

504控制端子面

505控制接触面

506负载接触面

507绝缘体

508绝缘体

511第一接合线

512多个第一接合线

520至少一个第二接合线

521多个第二接合线

540参考电势

630至少一个第三接合线

631多个第三接合线

633(至少一个第三接合线的)始端

634(至少一个第三接合线的)末端

a(多个第三接合线的)始端

e(多个第三接合线的)末端

701k因数

702稳定参数μ’

702稳定参数μ1

801k因数

802稳定参数μ’

802稳定参数μ1