技术特征：
技术总结
本申请公开了一种IBC电池制作方法，包括在硅片的第一表面局部区域，采用高温推进方式形成n+层，其中，所述第一表面与所述硅片的接受光照的表面相背；在所述第一表面形成多晶硅层，且所述多晶硅层与所述n+层不重叠；对位于所述第一表面的膜层进行开膜处理，以形成缝隙；在所述缝隙中形成电极。本申请IBC电池制作方法中通过沉积多晶硅层，取代硼浆料的印刷，多晶硅层不仅可以作为p+层，还可以作为发射层，增加光生载流子的传输，从而增加IBC电池性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的IBC电池。
技术研发人员：福克斯·斯蒂芬;张敏敏;陈彭;黄彪辉
受保护的技术使用者：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.04.19