技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结构插入对应的In凸点阵列中的In凸点中；本发明与传统In凸点互连技术相比，凸点接触面积减小，可实现低压力倒装互连；金属微管的插入连接方式，可避免In凸点在压力作用下横向形变，降低相邻像元In凸点互连的风险；微管插入可增加凸点接触面积，提升倒装互连的可靠性；插入的连接方式，可降低PDA和ROIC芯片之间因热失配引起的凸点连接面断裂等可靠性风险。
技术研发人员：陈扬;柳聪;高新江;莫才平;张圆圆;周勋;董绪丰;唐艳;田坤
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十四研究所
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.05.07