1.一种半导体装置，具备：
基板，具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即侧面；
焊垫电极，设置在所述基板的第1面侧；
内部布线，设置在所述基板内，并电连接在所述焊垫电极；
第1布线，设置在所述基板内，并在所述侧面从所述基板露出；
绝缘物，设置在所述第1布线与所述内部布线之间，将所述第1布线与所述内部布线之间分离；
半导体芯片，设置在所述第1面，并电连接在所述焊垫电极；以及
第1树脂，被覆所述半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊垫电极具有设置在焊垫电极上的金属镀覆膜，
所述第1布线是用来对所述焊垫电极表面的所述金属膜进行电镀处理的镀覆布线。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1布线为电性浮动状态。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述基板在所述第1布线与所述内部布线之间具有凹部，
所述第1布线在所述凹部内的切断面与所述绝缘物接触。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1布线设置在相比于所述第2面更靠所述第1面，
所述绝缘物为所述第1树脂。
6.一种半导体装置，具备：
基板，具有第1面、该第1面的相反侧的第2面、及从所述第1面的端部向上升至所述第2面的端部的面即侧面；
焊垫电极，设置在所述基板的第1面，且具有金属镀覆膜；
内部布线，设置在所述基板内，且电连接在所述焊垫电极；
第1布线，在所述基板内设置在相比于所述第2面更靠所述第1面，在所述侧面从所述基板露出，且处于电性浮动状态；
绝缘物，在将所述第1布线与所述内部布线分离的凹部内的切断面与所述第1布线及所述内部布线接触；
半导体芯片，设置在所述第1面，且电连接在所述焊垫电极；
第1树脂，被覆所述半导体芯片；以及
所述第2面的端子，与所述内部布线电连接。
7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
准备具有第1面及该第1面的相反侧的第2面，在所述第1面与所述第2面之间形成着内部布线，在所述第1面具有与所述内部布线电连接的焊垫电极的基板、
将多个所述基板物理连接且相邻的所述基板彼此通过与所述内部布线电连接的第1布线电连接的区块、及
将多个所述区块物理连接且相邻的所述区块彼此通过与所述第1布线电连接且一部分露出至外部的第2布线电连接的基板面板；
对所述第2布线施加电流，而在所述焊垫电极形成金属膜；
在所述基板形成将所述第1布线与所述内部布线分离的凹部；
将所述面板切断并分离成所述区块；
在所述基板积层与所述焊垫电极电连接的半导体芯片；
利用树脂被覆所述基板与所述半导体芯片；以及
将所述区块切断并分离成所述基板。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述凹部是通过蚀刻形成。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中所述内部布线包含铜，
在所述第2面设置着与所述内部布线电连接的端子。