技术特征：
技术总结
本发明的公开了一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供表层为InxAlyGa1‑x‑yN的材料，通过共溅射的方法在所述InxAlyGa1‑x‑yN的材料表面沉积第一复合金属层，所述第一复合金属层为Ta/Ti/Al复合金属层或Ta/Al复合金属层；将沉积完成的材料在500～1500℃退火，形成欧姆接触。并根据此种制备方法形成氮化镓基欧姆接触结构。这种结构设置可增加金属共融的程度，同时可避免Ta、Ti成为Al金属向下扩散时的阻挡层，以此降低合金退火的温度，并得到更平整的欧姆接触电极表面和更低的欧姆接触电阻率。
技术研发人员：刘煦冉;程海英;王敬;宋东波
受保护的技术使用者：芜湖启迪半导体有限公司;清华大学
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.05.10