1.一种摄像组件的封装方法，其特征在于，包括：
提供第一承载基板，所述第一承载基板上临时键合有功能元件和感光单元，所述感光单元包括键合于所述第一承载基板上的感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片和功能元件均具有焊垫，且所述感光芯片和功能元件的焊垫均背向所述第一承载基板，所述滤光片露出的区域为塑封区；
进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成位于所述塑封区的塑封层，所述塑封层覆盖所述第一承载基板、感光芯片和功能元件，且还覆盖所述滤光片的侧壁；
在所述塑封层靠近所述滤光片的一侧形成再布线结构，电连接所述感光芯片的焊垫以及所述功能元件的焊垫；
去除所述第一承载基板。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述塑封区中感光芯片、功能元件与所述承载基板围成的区域为底部塑封区，所述塑封区中高于所述功能元件顶部的区域为顶部塑封区；
向所述塑封区喷洒塑封料的过程中，在所述塑封料填充满所述底部塑封区之后，向所述顶部塑封区喷洒塑封料。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的方法包括：提供可移动的喷头；
采用所述喷头在所述第一承载基板上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。
4.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；且所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向，所述第二方向与第一方向不同。
5.如权利要求3或4所述的封装方法，其特征在于，在所述临时键合步骤后，所述感光芯片和功能元件在所述第一承载基板上的排列方向为x方向，平行于所述第一承载基板表面且与所述x方向相垂直的方向为y方向；所述喷头的移动路径具有的方向包括：+x方向、-x方向、+y方向和-y方向中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径具有的方向还包括：与x方向呈45°的倾斜方向或者与y方向呈45°的倾斜方向。
7.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，在进行所述选择性喷涂处理之前，获取所述塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理。
8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，获取所述塑封区的位置信息的方法包括：基于预设位置信息将所述功能元件和感光单元置于所述第一承载基板上，将所述预设位置信息作为所述第一承载基板上的塑封区的位置信息；或者，在将所述功能元件和感光单元置于所述第一承载基板上后，对所述第一承载基板表面进行光照射，采集经所述第一承载基板表面反射的光信息，获取所述塑封区的位置信息。
9.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：所述喷头在所述第一承载基板上方移动的同时，即时获取所述喷头在所述第一承载基板上的实时位置；基于所述实时位置和获取的位置信息，控制所述喷头在所述第一承载基板上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。
10.如权利要求3所述的封装方法法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理的步骤中，所述喷头与所述第一承载基板之间的垂直距离为5mm至30mm，所述喷头移动的速率为0.01m/s至0.1m/s，所述喷头喷洒塑封料的流量为1ml/s至10ml/s。
11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的步骤包括：提供喷头和可移动载台；将所述第一承载基板置于所述可移动载台上，使所述第一承载基板在喷头下方移动，当所述塑封区移动至所述喷头下方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。
12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理。
13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，在进行所述固化处理之前，还包括：在进行所述选择性喷涂处理的过程中，对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。
14.如权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述加热处理的工艺温度范围为20℃～120℃；所述固化处理的工艺温度范围为120℃～160℃。
15.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述形成再布线结构的步骤包括：在所述塑封层内形成导电通孔，所述导电通孔露出所述焊垫；
提供第二承载基板，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构，所述再布线结构包括互连线以及导电柱；
将所述导电柱键合于对应的所述导电通孔内，与所述焊垫电连接；
去除所述第二承载基板。
16.如权利要求15所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构的步骤包括：在所述第二承载基板上形成介质层；
图形化所述介质层，在所述介质层内形成互连沟槽；
向所述互连沟槽内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述介质层顶部；
在所述导电材料上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层遮挡所述导电柱所在位置的导电材料；
以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述导电材料至所述介质层；
去除所述掩膜层和介质层。
17.如权利要求15所述的封装方法，其特征在于，在所述第二承载基板上形成所述再布线结构的步骤包括：在所述第二承载基板上形成导电层；
对所述导电层进行刻蚀形成互连线；
形成牺牲层，覆盖所述第二承载基板和互连线；
图形化所述牺牲层形成通孔，所述通孔用于定义所述导电柱的位置；
在所述通孔内形成所述导电柱；
去除所述牺牲层。
18.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述滤光片贴装在所述感光芯片上之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层；
或者，所述滤光片贴装在所述感光芯片上之后，在所述感光芯片临时键合至所述第一承载基板上之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层；
或者，在所述感光芯片上贴装滤光片、以及在所述感光芯片临时键合至所述第一承载基板上之后，形成所述塑封层之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层。
19.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述感光芯片上贴装所述滤光片之后，在所述第一承载基板上临时键合所述感光芯片。
20.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述再布线结构电连接所述焊垫之后，去除所述第一承载基板。