技术总结
本实用新型公开了具有新型电极结构的T‑RESURF LDMOS，涉及功率半导体器件领域，包括重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区内从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层，所述轻掺杂漂移区上设有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层内从左到右依次蚀刻有第一场板、偏置电极和第二场板；所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层均填充有第一掺杂类型，所述轻掺杂漂移区填充有第二掺杂类型。本实用新型降低了导通电阻和功耗，提高了击穿电压和器件的工作效率。
技术研发人员：马中发;彭雨程
受保护的技术使用者：西安因变光电科技有限公司
技术研发日：2018.01.23
技术公布日：2018.08.07