一种功率晶体管的封装结构的制作方法

本实用新型涉及功率晶体管技术领域，具体地，涉及一种功率晶体管的封装结构。

背景技术：

功率晶体管是一种控制电流的半导体器件，功率晶体管可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。目前，市面上的功率晶体管通常都是通过螺栓直接固定安装在散热片上，由于螺栓是金属件，导致功率晶体管背面直接与连接件接触，使得螺栓带电，存在安全隐患。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型公开一种功率晶体管的封装结构，其包括：

安装板，其具有安装孔；

功率晶体管，其设置于安装板，功率晶体管位于安装孔的一侧；

封装体，其包括第一封装体及第二封装体，第一封装体设置于安装板，并包裹安装孔的内侧壁，第二封装体包裹功率晶体管，并连接第一封装体。

根据本实用新型的一实施方式，上述功率晶体管为高频大功率晶体管。

根据本实用新型的一实施方式，上述功率晶体管的芯片型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT。

根据本实用新型的一实施方式，上述功率晶体管包括第一引脚、第二引脚及第三引脚，第一引脚、第二引脚及第三引脚并列设置于安装板，并分别贯穿第二封装体。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的功率晶体管的封装结构从根本上解决了功率晶体管封装后会存在气泡的可能，使得功率晶体管在使用过程中始终处于绝缘的状态，消除安全隐患。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例中功率晶体管的封装结构的示意图。

附图标记说明：

1、安装板；11、安装孔；2、功率晶体管；21、第一引脚；22、第二引脚；23、第三引脚；3、封装体；31、第一封装体；32、第二封装体。

具体实施方式

以下将以图式揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

为能进一步了解本实用新型的内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：

请参照图1，其为本实用新型实施例中功率晶体管的封装结构的示意图。如图所示，本申请的功率晶体管的封装结构包括安装板1、功率晶体管2及封装体3。安装板1具有安装孔11，工人利用螺栓穿过安装孔11，将功率晶体管2安装到预定位置，方便快捷。功率晶体管2设置于安装板1，功率晶体管2位于安装孔11的一侧。封装体3包括第一封装体31及第二封装体32。第一封装体31设置于安装板1，第一封装体31包裹安装孔11的内侧壁。采用第一封装体31包裹安装孔11的内侧壁，可有效防止使用过程中螺栓带电，从而损坏功率晶体管2。第二封装体32包裹功率晶体管2，第二封装体32连接第一封装体31。

优选地，功率晶体管2为高频大功率管。高频大功率管的工作电流大，各电极的引线较粗而硬，使得输出电流更大，电路效率更高。

优选地，功率晶体管2的芯片型号为MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT。MOSFET、SCR、FRD、SBD或BJT芯片具有能耗低、绝缘性好、散热性能好等优点，封装后不会因温度过高而烧坏芯片。

进一步地，功率晶体管2包括第一引脚21、第二引脚22及第三引脚23。第一引脚21、第二引脚22及第三引脚23并列设置于安装板1，第一引脚21、第二引脚22及第三引脚23分别贯穿第二封装体32。第一引脚21连接功率晶体管2的栅极，第二引脚22连接功率晶体管2的漏极，第三引脚23连接功率晶体管2的源极。

本实用新型的功率晶体管的封装结构从根本上解决了功率晶体管封装后会存在气泡的可能，使得功率晶体管在使用过程中始终处于绝缘的状态，消除安全隐患，可广泛应用于功率晶体管封装等领域。

上所述仅为本实用新型的实施方式而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本实用新型的权利要求范围之内。