本实用新型涉及一种金属片，尤其涉及一种用于高功率电子元器件的钼片。
背景技术：
目前，随着电子产品的更新迭代，大功率的电子元器件的需求越来越大，而大功率的电子元器件在运行时对其中的金属件有很高的要求，而市场常使用的是金属铜和铝片箔，电子元器件在运行过程中会产生大量的热量，温度升高得很快并且温度很高，在此过程中会容易融化金属片，而造成设备故障，要解决这个问题必须找熔点更高的金属片来替代目前的铜片和铝片，并且提高散热能力。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中的缺陷，现提供一种用于高功率电子元器件的钼片，提高了耐高温能力，在同样的投影面积下增加金属薄片的表面积，使得导电性能更佳，同时增加表面积，使得散热面积也大大增加，使得散热更快，有效降低运行时的温度。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
本实用新型一种用于高功率电子元器件的钼片，其特点在于，所述用于高功率电子元器件的钼片包括圆弧底和圆形圈，所述圆弧底的边缘与所述圆形圈的内边缘连接。
优选地，所述圆弧底和圆形圈的厚度为0.06mm。
优选地，所述圆弧底和圆形圈的材质高纯金属钼。
优选地，所述圆弧底的球心与基准A的同心度为
优选地，所述圆弧底的深度为1.32mm。
优选地，所述圆弧底的长度为6.3mm。
优选地，所述圆形圈的变宽为0.7mm。
本实用新型的积极进步效果在于：
本实用新型采用金属圆弧形锅状的钼片代替铜片或铝片，大大提高耐高温能力，使得在同样的投影面积下增加金属薄片的表面积，使得导电性能更佳，同时增加表面积，使得散热面积也大大增加，使得散热更快，有效降低运行时的温度。
附图说明
图1为本实用新型的较优实施例的侧面的结构示意图。
图2为本实用新型的较优实施例的剖面的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。
如图1、图2所示，本实用新型一种用于高功率电子元器件的钼片，包括圆弧底1和圆形圈2，圆弧底1的边缘与圆形圈2的内边缘连接，形成一个带边锅形状。
优选地，圆弧底1和圆形圈2的厚度为0.06m，圆弧底1和圆形圈2的材质高纯金属钼，提高耐温度和提高导电性，圆弧底1的球心与基准A的同心度为圆弧底1的深度为1.32mm，圆弧底1的长度为6.3mm，圆形圈2的变宽为0.7mm。
以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本实用新型做出种种变化例。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型的保护范围。