技术总结
本实用新型公开了一种两步法制备Ag反射镜的垂直结构LED芯片，该垂直结构LED芯片从下至上依次包括Si（100）衬底、Au/Sn键合层、TiW保护层、Ag反射镜层、p型掺杂GaN层、InGaN/GaN量子阱层、n型掺杂GaN层和TaN/Al/W n电极层；所述Ag反射镜依次包括Ni层、Ag‑contact层、Ag‑bulk层和X应力缓冲层；所述Ni层401沉积在p型掺杂GaN层5上。该垂直结构LED芯片的Ni/Ag‑contact/Ag‑bulk/X层反射镜结构提升了垂直结构LED芯片的光输出功率和外量子效率。而且垂直结构LED芯片的结构简单，未使用贵金属，在提高性能的同时极大的节省了成本。
技术研发人员：李国强;张云鹏;张子辰
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.03.31
技术公布日：2018.10.26