1.一种用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于包括：
一延伸讯号区，包含多个讯号线以及多个接垫，该等讯号线是平行排列，而每个该等讯号线系连接至少一接垫，且不同的该讯号线所连接的相对应接垫是配置成相互间隔开而不接触；
至少一中继接点区，每个该中继接点区包含多个中继接点；
一接地区；
一电源区；以及
一电气绝缘层，具电气绝缘性，且该延伸讯号区、该至少一中继接点区、该接地区及该电源区是由一导电材料构成而具有导电性，并位于该电气绝缘层的一上表面，
其中该万用转接电路层是安置在一芯片的一上表面，且该芯片进一步安置在一基板的一上表面，该基板具有一线路图案及多个接脚，该万用转接电路层之该接垫、该中继接点、该接地区、该电源区及该接脚，可选择式藉由引线而电气连接至该基板之连接阜。
2.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该至少一中继接点区是配置在该万用转接电路层的一左侧边缘区域、一顶部边缘区域及一右侧边缘区域。
3.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该接地区以及该电源区是配置成相邻且不接触。
4.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该等讯号线所连接的该至少一接垫是配置成波浪状排列。
5.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该等讯号线所连接的该至少一接垫是配置成平行状排列。
6.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该接地区及该电源区为长条形。
7.根据权利要求1所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该芯片系为一闪存。
8.根据权利要求7所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该基板或该闪存上设有一控制器，该控制器具有多个连接垫，该万用转接电路层之该接垫、该中继接点、该接地区、该电源区及该接点，可选择式藉由引线而电气连接至该基板之该连接阜、该闪存或该控制器之连接垫。
9.一种用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于包括：
一延伸讯号区，包含多个讯号线以及多个接垫，该等讯号线是平行排列，而每个该等讯号线系连接至少一接垫，且不同的该讯号线所连接的相对应接垫是配置成相互间隔开而不接触；
至少一中继接点区，每个该中继接点区包含多个中继接点；
一接地区；
一电源区；以及
一电气绝缘层，具电气绝缘性，且该延伸讯号区、该至少一中继接点区、该接地区及该电源区是由一导电材料构成而具有导电性，并位于该电气绝缘层的一上表面，
其中该万用转接电路层是安置在一第一芯片的一上表面，且该第一芯片进一步安置在一导线架之一承放座的一上表面，该万用转接电路层之该接垫、该中继接点、该接地区、该电源区及该接脚可选择式藉由引线而电气连接至该导线架之一引脚。
10.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该至少一中继接点区是配置在该万用转接电路层的一左侧边缘区域、一顶部边缘区域及一右侧边缘区域。
11.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该接地区以及该电源区是配置成相邻且不接触。
12.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该等讯号线所连接的该至少一接垫是配置成波浪状排列。
13.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该等讯号线所连接的该至少一接垫是配置成平行状排列。
14.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该接地区及该电源区为长条形。
15.根据权利要求9所述的用于半导体封装结构的万用转接电路层，其特征在于：该第一芯片与该承放座之间设置一第二芯片，该万用转接电路层之该接垫、该中继接点、该接地区、该电源区可选择式藉由引线电气连接该导线架之一引脚与第二芯片之连接垫。