1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底(210)，具有器件隔离结构(253)和埋入式栅极(260)；
绝缘结构(270)，覆盖所述埋入式栅极并形成于所述衬底上；
位线接触栓塞(242)，在沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方；以及
第一自然氧化层(222A)，形成于所述衬底与所述位线接触栓塞之间，在所述沉积炉管机台中清洗所述第一自然氧化层，以使所述第一自然氧化层的厚度小于等于2埃。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述位线接触栓塞形成于原位P掺杂多晶硅，并且掺杂P的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位线(243)，覆盖所述位线接触栓塞，且所述位线的顶部和侧壁被所述绝缘结构包围；
存储节点接触栓塞(231)，在所述沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻的所述埋入式栅极和所述器件隔离结构之间的衬底上方；
第二自然氧化层(322)，形成于所述衬底与所述存储节点接触栓塞之间，在所述沉积炉管机台中清洗所述第二自然氧化层，以使所述第二自然氧化层的厚度小于等于2埃。
4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位线，覆盖所述位线接触栓塞，且所述位线的顶部和侧壁被所述绝缘结构包围；
存储节点接触栓塞，在所述沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻的所述埋入式栅极和所述器件隔离结构之间的衬底上方，在所述沉积炉管机台中清洗所述衬底，以使所述存储节点接触栓塞与所述衬底直接接触。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，具有器件隔离结构和埋入式栅极；
绝缘结构，覆盖所述埋入式栅极并形成于所述衬底上；
位线接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方，在所述沉积炉管机台中清洗所述衬底，以使所述位线接触栓塞与所述衬底直接接触。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述位线接触栓塞形成于原位P掺杂多晶硅，并且掺杂P的浓度为每立方厘米1019个至每立方厘米5×1021个。
7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位线，覆盖所述位线接触栓塞，且所述位线的顶部和侧壁被所述绝缘结构包围；
存储节点接触栓塞，在所述沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻的所述埋入式栅极和所述器件隔离结构之间的衬底上方；
自然氧化层，形成于所述衬底与所述存储节点接触栓塞之间，在所述沉积炉管机台中清洗所述自然氧化层，以使所述自然氧化层的厚度小于等于2埃。
8.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
位线，覆盖所述位线接触栓塞，且所述位线的顶部和侧壁被所述绝缘结构覆盖；
存储节点接触栓塞，在所述沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，并位于相邻的所述埋入式栅极和所述器件隔离结构之间的衬底上方，在所述沉积炉管机台中清洗所述衬底，以使所述存储节点接触栓塞与所述衬底直接接触。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，具有覆盖位线的绝缘结构；
存储节点接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中；
自然氧化层，形成于所述衬底与所述存储节点接触栓塞之间，在所述沉积炉管机台中清洗所述自然氧化层，以使所述自然氧化层的厚度小于等于2埃。
10.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，具有覆盖位线的绝缘结构；
存储节点接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于所述绝缘结构中，在所述沉积炉管机台中清洗所述衬底，以使所述存储节点接触栓塞与所述衬底直接接触。