技术总结
本申请涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括所述衬底、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述复合导电层。所述第一半导体层设置于所述衬底的表面。所述活性层设置于所述第一半导体层远离所述衬底的表面。所述第二半导体层设置于所述活性层远离所述第一半导体层的表面。所述复合导电层包括所述石墨烯层状薄膜和多个所述Zn‑Sn‑O纳米线。所述石墨烯层状薄膜设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面。多个所述Zn‑Sn‑O纳米线间隔设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。
技术研发人员：李若雅;汪琼;祝庆;陈柏君;陈柏松
受保护的技术使用者：芜湖德豪润达光电科技有限公司
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2019.01.29