1.一种硅纳米膜柔性平面栅双沟道薄膜晶体管,其特征是,聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性衬底上方依次为氧化铟锡ITO中间导电层、铌铋镁BMN栅介电层、硅薄膜,硅薄膜内间隔设置有掺杂区,两端的掺杂区上方分别设有金属漏电极,中间的掺杂区上方金属源电极,在穿透硅薄膜和BMN栅介电层的通孔内沉积金属直至在通孔上方形成有金属栅电极,所述金属栅电极通过所述通孔内的沉积金属直接接触ITO中间导电层,并进一步连接金属漏电极。