一种抗反射导电膜的制作方法

本实用新型涉及导电膜技术领域，特别涉及一种抗反射导电膜。

背景技术：

导电膜是具有导电功能的薄膜。导电膜因其较好的导电性能，所以被应用在一些相关领域作为导电桥梁；例如普通玻璃是绝缘材料，通过在其表面镀上一层导电膜，即可使其具备导电性能，这就是导电玻璃。导电玻璃具有较高的机械强度和防腐性能。可用作飞机的风挡玻璃，在等离子显示、硅太阳电池、调谐指示管等器件中可作玻璃电极，在金属电解槽、电热设备等方面而有广泛的用途。

但是，大部分的导电膜由于制备技术欠完善，通常薄膜中的缺陷浓度比较高，主要缺陷为杂质、空位、填隙原子、位错、晶界，以及表面和界面的吸附和偏析等原因严重影响其导电性能，不能满足相关行业的技术性能要求。

ITO膜是以锡和氧空位为施主的n型简并半导体，在常温下有很好的导电性，其本征吸收在紫外区，对可见光透过率影响不大。ITO膜因其优良的导电和透光性能，是目前被应用较为广泛的导电膜之一，相关产品已广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO 导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

但是，目前的ITO导电膜绝大部分都是单层为主，近年，随着雷达探测、太阳能电池、平板显示器等领域技术的飞速发展，对ITO薄膜的透过率、导电性提出更高的要求，单层ITO 薄膜的光电性能已不能满足现代武器隐身、屏蔽性能和其他商业应用的要求。

技术实现要素：

针对上述存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种抗反射导电膜，通过增加ITO导电膜的层数和联合使用不同的导电膜材料及增设减反射层层数能有效提高导电膜的抗反射能力和提高透光率和增强导电性，能满足相关领域对于导电膜日益提高的性能要求。

现在雷达探测、太阳能电池、平板显示器等相关领域正在蓬勃发展，这些领域对于ITO 导电玻璃的需求正在日益增多，而ITO导电膜作为制造ITO导电玻璃的重要原料，其性能对于ITO导电膜玻璃有重要影响，而现在的导电膜已经难以满足其需求，而改进的ITO导电膜玻璃能更好地满足这些领域的对于导电膜玻璃的性能需求，具有广阔的市场前景和商业价值。

为了实现上述目的，本实用新型是通过以下技术方案予以实现：

一种抗反射导电膜，包括玻璃基片、多层减反射膜和多层导电膜。

优选地，所述的玻璃基片为不用经过特殊前处理的圆形或方形玻璃基片。

更优选地，所述的玻璃基片为不用经过任何前处理的圆形或方形的普通玻璃基片、白玻璃基片。

优选地，所述的减反射膜的材料为二氧化硅或氟化镁其中一种，所述的导电膜的材料为 ITO。

优选地，所述的减反射膜和导电膜在玻璃基片之上依次相互沉积。

优选地，所述的减反射膜和导电膜的沉积层数为，以玻璃基片为第1层，减反射膜沉积在第2、第4、第6和第8层，分别为第一减反射膜、第二减反射膜、第三减反射膜和第四减反射膜；导电膜沉积在第3、第5、第7和第9层，分别为第一导电膜、第二导电膜、第三导电膜和第四导电膜。

优选地，所述的第二减反射膜和第四减反射膜的材料为氟化镁，所述的第一减反射膜和第三减反射膜的材料为二氧化硅。

优选地，所述的ITO导电膜层的厚度在20～100nm。

更优选地，所述的ITO导电膜层的厚度在28～75nm。

优选地，所述的氧化硅减反射膜层厚度为35～90nm，所述的氮化镁减反射膜层厚度为 25～90nm。

更优选地，所述的氧化硅减反射膜层厚度为40～85nm，所述的氮化镁减反射膜层厚度为 30～80nm。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型通过增加ITO导电膜的层数和联合使用不同的导电膜材料及增设减反射层层数能有效提高导电膜的抗反射能力和提高透光率和增强导电性，能满足相关领域对于导电膜日益提高的性能要求。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

1-玻璃基片、2-第一抗反射面、3-第一导电膜、4-第二抗反射面、5-第二导电膜、6-第三抗反射膜、7-第三导电膜、8-第四抗反射膜和9-第四导电膜。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步地详细阐述，所述实施例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。下述实施例中所使用的试验方法如无特殊说明，均为常规方法；所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，为可从商业途径得到的试剂和材料。

工作原理：ITO导电膜具有优良的导电性能和透明度，透光性能很好，对光的反射少，通过将多层ITO导电膜联合使用可以增强导电膜导电性能，进一步减少光反射，增强折射，有利于导电膜的光电转化；并且，设置通过设置多层减反射层，可以进一步增强导电膜的光折射能力和抗反射性能。

实施例1

如图1所示，一种抗反射导电膜，包括：从下到上依次为玻璃基片(1)、第一减反射膜 (2)、第一导电膜(3)、第二减反射膜(4)、第二导电膜(5)、第三减反射膜(6)、第三导电膜(7)、第四减反射膜(8)、第四导电膜；所述的玻璃基片为不用经过任何前处理的方形玻璃基片；所述的减反射膜的材料为二氧化硅或氟化镁其中一种，所述的导电膜的材料为ITO；所述减反射膜和导电膜在玻璃基片之上依次相互沉积；所述的第二减反射膜和第四减反射膜的材料为氟化镁，所述的第一减反射膜和第三减反射膜的材料为二氧化硅；所述的ITO导电膜层的厚度为60nm；所述的氧化硅减反射膜层厚度为50nm，所述的氮化镁减反射膜层厚度为45nm。

实施例1的抗反射导电膜的抗反射能力使用分光测定仪进行检测，透光率达到88％～95％，表面电阻率为50～500ohm/sq，具有很强的透光性能和光抗反射能力以及导电能力。

实施例2

如图1所示，一种抗反射导电膜，包括：从下到上依次为玻璃基片(1)、第一减反射膜 (2)、第一导电膜(3)、第二减反射膜(4)、第二导电膜(5)、第三减反射膜(6)、第三导电膜(7)、第四减反射膜(8)、第四导电膜；所述的玻璃基片为不用经过任何前处理的方形玻璃基片；所述的导电膜的材料为ITO；所述减反射膜和导电膜在玻璃基片之上依次相互沉积；所述的第二减反射膜和第四减反射膜的材料为氟化镁，所述的第一减反射膜和第三减反射膜的材料为二氧化硅；所述的ITO导电膜层的厚度为45nm；所述的氧化硅减反射膜层厚度为80nm，所述的氮化镁减反射膜层厚度为60nm。

实施例2的抗反射导电膜的抗反射能力使用分光测定仪进行检测，透光率达到88％～95％，表面电阻率为50～500ohm/sq，具有很强的透光性能和光抗反射能力以及增透效果。

实施例3

如图1所示，一种抗反射导电膜，包括：从下到上依次为玻璃基片(1)、第一减反射膜 (2)、第一导电膜(3)、第二减反射膜(4)、第二导电膜(5)、第三减反射膜(6)、第三导电膜(7)、第四减反射膜(8)、第四导电膜；所述的玻璃基片为不用经过任何前处理的方形玻璃基片；所述的导电膜的材料为ITO；所述减反射膜和导电膜在玻璃基片之上依次相互沉积；所述的第二减反射膜和第四减反射膜的材料为氟化镁，所述的第一减反射膜和第三减反射膜的材料为二氧化硅；所述的ITO导电膜层的厚度为35nm；所述的氧化硅减反射膜层厚度为95nm，所述的氮化镁减反射膜层厚度为75nm。

实施例3的抗反射导电膜的抗反射能力使用分光测定仪进行检测，透光率达到88％～95％，表面电阻率为50～500ohm/sq，具有很强的透光性能和光抗反射能力以及增透效果。

由上述实施例的数据显示，本实用新型的抗反射导电膜对于光线具有很强的透光能力和抗折射性能，具有较小电阻和很好的导电能力。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。