一种外延结构及发光二极管的制作方法

技术总结
本实用新型属于半导体领域，涉及一种外延结构及发光二极管，至少包括：第一导电型半导体层第二导电型半导体层；发光层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；其特征在于：所述发光层和第二导电型半导体层之间设置有第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层为含有Al组分的SiXN（1‑X）层，其中0
技术研发人员：宋长伟;程志青;黄文宾;寻飞林;林兓兓;蔡吉明
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2019.01.04