本实用新型涉及薄膜太阳能芯片制备设备技术领域,特别是指一种用于制备薄膜太阳能芯片的反应槽。
背景技术:
在薄膜太阳能芯片的制备过程中,需要将薄膜太阳能芯片置于盛放有化学制剂的反应槽中进行沉积反应,以在薄膜太阳能芯片正面沉积形成硫化镉层。薄膜太阳能芯片置于反应槽内后,薄膜太阳能芯片侧面与反应槽靠近芯片侧面的内壁之间的距离较近,其间的空气较少,在大气压的作用下,使二者较难分开,导致芯片取出时阻力大,容易发生掉片的情况,影响产品质量。
技术实现要素:
有鉴于此,本实用新型的目的在于提出一种用于制备薄膜太阳能芯片的反应槽,能够减小薄膜太阳能芯片侧面与反应槽内壁的接触面积,显著的减小其间的表面吸附效应,保证薄膜太阳能芯片的顺利取出。
基于上述目的本实用新型提供的一种用于制备薄膜太阳能芯片的反应槽,所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁包括用于减少接触面积的凹槽结构。
在一些实施方式中,所述凹槽结构为在所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁上均匀分布的多个蛇形凹槽。
在一些实施方式中,所述凹槽结构为在所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁上均匀分布的多个圆孔槽。
在一些实施方式中,所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片端面的内壁设置有用于限定薄膜太阳能芯片插入方向的导向槽。
在一些实施方式中,所述导向槽与所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁之间至少存在5mm的间距。
在一些实施方式中,所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁还设置有与气源相连的出气孔。
在一些实施方式中,所述出气孔的数量为多个,且多个所述出气孔均为分布在所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁表面。
在一些实施方式中,所述反应槽还包括用于调节所述出气孔的出气量的调节阀。
在一些实施方式中,所述反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁还设置有用于推开薄膜太阳能芯片的推顶机构。
在一些实施方式中,所述推顶机构的用于与薄膜太阳能芯片接触的部位设置有缓冲材料层。
从上面所述可以看出,本实用新型提供的用于制备薄膜太阳能芯片的反应槽,通过在反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁设置凹槽结构,有效的减小了薄膜太阳能芯片侧面与反应槽内壁的接触面积,显著的减小其间的表面吸附效应,保证薄膜太阳能芯片的顺利取出,进而保证产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的反应槽的第一剖视视角示意图;
图2为本实用新型实施例的反应槽的第二剖视视角示意图;
图3为本实用新型实施例的反应槽内壁正投影视图;
图4为本实用新型一个可选的实施例的反应槽内壁正投影视图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本实用新型进一步详细说明。
本实用新型实施例提供了一种用于制备薄膜太阳能芯片的反应槽,反应槽靠近薄膜太阳能芯片侧面的内壁包括用于减少接触面积的凹槽结构。
为方便描述,本实用新型的后述实施例中,均将薄膜太阳能芯片简称为“芯片”;另外需要说明的是,由于本实用新型实施例的反应槽应用于薄膜太阳能芯片的制备过程中,所涉及的薄膜太阳能芯片仅为半成品。
本实施例中,通过在反应槽靠近芯片侧面的内壁表面设置凹槽结构,使得当芯片侧面与反应槽的内壁相接触时,凹槽结构所对应的部位不会与芯片侧面发生面接触,相比于现有技术有效的减少了芯片侧面与反应槽内壁的接触面积,进而显著的削弱了大气压作用下的表面吸附效应,使芯片能够轻松的从反应槽中取出,防止掉片,保证产品质量。
其中,凹槽结构的形状可以设置为直线形凹槽、蛇形凹槽、圆孔槽等;凹槽结构的分布方式以及在反应槽内壁上的分布区域也可以根据具体的实施需要而灵活选择,如均匀分布或是集中在某一区域设置。
作为一个更加具体的实施例,参考图1、图2和图3,所述的反应槽,在其靠近芯片侧面的内壁1包括用于减少接触面积的凹槽结构101。其中,对于所述的芯片,其一般为矩形体;对于矩形体结构的芯片,由其长、宽两边构成的一对具有较大面积的表面称之为侧面;由其宽、高以及长、高构成的两对具有较小面积的表面称之为端面。
本实施例中,凹槽结构101为在反应槽靠近芯片侧面的内壁1上均匀分布的多个蛇形凹槽。均匀分布的多个蛇形凹槽能够较大程度上的减少反应槽靠近芯片侧面的内壁1与芯片侧面间的接触面积。此外,在加工制造方面,蛇形凹槽也具有加工工艺简单、加工成本低廉的优点。
进一步的,在本实施例中,参考图1,反应槽靠近薄膜太阳能芯片端面的内壁2设置有用于限定薄膜太阳能芯片插入方向的导向槽201。在将芯片放入反应槽时,芯片的边缘会被置于导向槽201内,并沿导向槽201的延伸方向进入反应槽。在将芯片放入反应槽后,导向槽201还能够进一步的限定芯片在反应槽内的放置位置。当导向槽201的边缘与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间的间距较近时,受导向槽201的限制置于反应槽的芯片仍有可能与反应槽靠近芯片侧面的内壁1发生较大面积的接触(特别是在芯片被浸泡发生变形的情况下),故在本实施例中,导向槽201与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间留有一定的间距,具体的,该间距至少为5mm。本实施例的反应槽,通过蛇形凹槽和导向槽201与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间的间距的设置,能够从根本上杜绝芯片侧壁与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间的表面吸附效应。
作为一个可选的实施例,参考图4,在前述实施例的基础上,反应槽靠近芯片侧面的内壁1还设置有与气源相连的出气孔102。具体的,出气孔102通过气体管路(未示出)连接至气源。气源提供的气体经过气体管路的输送,由反应槽靠近芯片侧面的内壁1上的出气孔102喷出,喷出的气体将作用于芯片侧面,对芯片施加一远离反应槽靠近芯片侧面的内壁1的作用力,能够克服芯片侧面与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间的表面吸附效应,进一步的方便芯片的取出。其中,出气孔102的数量至少为一个。当设置由多个出气孔102时,优选的将多个出气孔102均为分布设置在反应槽靠近芯片侧面的内壁1的表面。通过多个出气孔102均匀分布的设置方式,保证芯片侧面受力的均匀,有利于芯片的顺利取出。
进一步的,反应槽还包括用于调节出气孔102的出气量的调节阀。由于出气孔102也处于反应槽内,其喷出的气体有可能会造成反应槽内的化学试剂的过大幅度波动而影响芯片膜层沉积。故在本实施例中,设置用于调节出气孔102的出气量的调节阀,在使用是,根据具体的工况,相应的调节调节出气孔102的出气量,以防止其喷出的气体造成化学试剂的过大幅度波动。另一方面,也可以在当芯片侧面与反应槽靠近芯片侧面的内壁1之间的表面吸附效应较强而造成难以取出芯片时,通过调节本实施例中的调节阀,增大出气孔102的出气量以增大对芯片的作用力,使芯片能够顺利从反应槽内取出。
作为一个可选的实施例,所述的为凹槽结构圆孔槽。具体的,圆孔槽设置有多个,且多个圆孔槽均匀分布在反应槽靠近芯片侧面的内壁上。
作为一个可选的实施例,反应槽靠近芯片侧面的内壁还设置有用于推开薄膜太阳能芯片的推顶机构。该推顶机构可以选用液压杆+液压缸、丝杠+螺母、滑轨+滑块等机构,其能够在使用者的操作下,向反应槽内部、芯片侧面的方向伸出一用于与芯片接触的部位,该与芯片接触的部位能够向芯片施加一远离反应槽靠近芯片侧面的内壁方向的作用力,以克服芯片侧面与反应槽靠近芯片侧面的内壁之间的表面吸附效应,使芯片侧面与反应槽靠近芯片侧面的内壁分开,进而将芯片取出。
进一步的,推顶机构的用于与芯片接触的部位设置有缓冲材料层。通过缓冲材料层的缓冲,能够在推顶机构与芯片接触时,有效的防止在较强的相互作用下造成的芯片的损坏。具体的,该缓冲材料层可以选用橡胶、柔性塑料等。
所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本实用新型的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,并存在如上所述的本实用新型的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。因此,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。