一种采用SIP封装的射频前端组件的制作方法

文档序号:18391110发布日期:2019-08-09 21:46阅读:567来源:国知局
一种采用SIP封装的射频前端组件的制作方法

本实用新型涉及一种射频前端组件,特别涉及一种采用SIP封装的射频前端组件。



背景技术:

随着通信带宽的不断提高,需要将原有的射频通信前端应用到便携式设备中,例如手机,可以用于通信信息传输。但传统的射频前端组件多采用PCB板或者LTCC板集成,单个体积在几个立方厘米,且与其他功能接口使用接插板,体积大且不方便集成,严重地制约了射频前端在手机和可穿戴设备上的使用。



技术实现要素:

针对上述技术问题,本实用新型提供一种SIP封装的射频前端组件,包括:硅基板,多功能芯片,功率放大器,无源器件,TSV过孔,连接球,其中,

主体为长方体结构的硅基板;

多功能芯片安装在硅基板正面;

功率放大器安装在硅基板正面;

无源器件(滤波器)安装在硅基板反面;

硅基板上打有TSV通孔;

TSV通孔的底部安装有连接球;

进一步地,多功能芯片采用胶热压方式安装到硅基板正面。

进一步地,多功能芯片与硅基板需要有电路连接。

进一步地,多功能芯片与硅基板的电路连接方式可以采用打线方式连接。

进一步地,功率放大器采用胶热压安装到硅基板正面。

进一步地,功率放大器与硅基板需要有电路连接。

进一步地,功率放大器与硅基板的电路连接方式可以采用打线方式连接。

进一步地,无源器件(滤波器)采用胶热压安装到硅基板反面。

进一步地,无源器件(滤波器)与硅基板需要有电路连接。

进一步地,无源器件(滤波器)与硅基板的电路连接方式可以采用打线方式连接。

进一步地,TSV通孔可以是圆型的,四边形的,或者八边型的。

进一步地,TSV通孔可以是一个或者多个组成的阵列。

进一步地,TSV通孔阵列可以是中间一个孔,周围一圈孔的阵列。

进一步地,TSV通孔下面的连接球通过植球方式连接,可以使用锡球。

本实用新型的有益效果在于:

1、采用硅基板作为整个组件的基板,隔离性好,功能稳定;

2、采用TSV通孔传输信号,损耗小,性能好;

3、采用SIP封装方式,整体体积小,单位体积功能比例高;

4、采用打线的方式,加工难度不大,有利于生产;

5、模块化设计有利于降低生产成本和质量控制。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明:

图1是本实用新型实施例一的整体结构示意图;

图2是本实用新型实施例二的整体结构示意图;

其中,指定图1为本实用新型专利申请书中摘要附图。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型的保护范围。

一种采用SIP封装的射频前端组件包括:硅基板1,多功能芯片2,功率放大器3,无源器件(滤波器)4,多个TSV通孔5,多个连接球6,电路连接线7,其中主体1为硅材料的长方体结构,正反面布有电路连接7和多个TSV通孔5,正面和反面设有相应的安装区域;多功能芯片2,为射频前端组件功能电路组成之一安装在硅基板1的上部;功率放大器3,为射频前端组件功能电路组成之一安装在硅基板1的正面,位置可调整;无源器件(滤波器)4,为射频前端组件功能电路组成之一安装在硅基板1反面;多个连接球6在硅基板1的反面,与TSV通孔5 连接。

优选的,无源器件(滤波器)4可以选择无源器件安装在所述硅基板1的反面,或通过直接布线的方式实现在硅基板1的反面。

优选的,射频前端组件还包括连接硅基板上的电路连接线7与所述硅基板1 正面与反面的器件,可以通过打线连接。

优选的,TSV通孔5的形状为圆形、四边形或八方形。

优选的,多个TSV通孔5,可以采用单个孔;或者为采用阵列方式,2X2;或者采用中间大孔,周围接地孔的方式。

优选的,TSV通孔5下面通过植球方式连接球6。

优选的,整个射频前端组件增加前盖8,用于密封整个正面器件。

实施例一、

如图1所示射频前端组件包括:硅基板1,多功能芯片2,功率放大器3,无源器件(滤波器)4,多个TSV通孔5,多个连接球6,电路连接线7及前盖 8。本实施例中的无源器件(滤波器)4采用外部器件的方式。

硅基板1为长方体结构,上面布有用于电信号连接的电路连接线7,还有用于正反面信号传输的TSV通孔5,在本实施例中通孔的形状为圆形。

多功能芯片2和功率放大器3安装在硅基板1的正面安装区域,无源器件 (滤波器4)安装在硅基板1的反面安装区域,均通过胶热压的方式连接到硅基板1上。多功能芯片2、功率放大器3和无源器件(滤波器)4与硅基板上电路连接线7之间采用打线的方式连通。

连接球6,通过植球的方式连接到TSV通孔5。

前盖8安装在硅基板1的前端,本实施例中采用塑封加工,可以直接热塑压合到硅基板1上。

实施例二、

如图2所示,硅基板1,多功能芯片2,功率放大器3,多个TSV通孔5,多个连接球6,电路连接线7及前盖8。本实施例中无源器件4采用硅基板1 上直接布线实现,不需要额外的器件安装。其它结构与实施例一相同。

上述实施方式旨在举例说明本实用新型可为本领域专业技术人员实现或使用,对上述实施方式进行修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,故本实用新型包括但不限于上述实施方式,任何符合本权利要求书或说明书描述,符合与本文所公开的原理和新颖性、创造性特点的方法、工艺、产品,均落入本实用新型的保护范围之内。

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