1.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：
衬底；
多层导电层，其中，相邻的所述导电层之间设置有介电层，所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层，所述介电层上设置有接触孔；
熔断器，位于第一导电层上，所述第一导电层为多层所述导电层中位于最上层的导电层，其中，靠近所述衬底为底层，远离所述衬底为上层；
闩锁电路，设置在衬底中，和所述熔断器连接。
2.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，所述第一导电层上设置有第一通孔，所述熔断器位于所述通孔中。
3.如权利要求2所述的集成电路芯片，其特征在于，所述集成电路芯片还包括：
连接器，位于所述介电层的接触孔中，用于连接所述介电层两侧的导电层。
4.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，第一导电层用于连接电源，用于接收电源信号。
5.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，第二导电层连接有断路检测装置，所述断路检测装置用于检测熔断器是否被熔断，所述第二导电层为位于所述第一导电层和所述衬底之间的导电层。
6.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，所述熔断器为金属熔断器。
7.如权利要求1所述的集成电路芯片，其特征在于，多层所述导电层和所述衬底相互平行设置。
8.如权利要求3所述的集成电路芯片，其特征在于，所述熔断器为熔丝，所述熔丝的电阻大于所述第一导电层的电阻以及所述连接器的电阻。
9.如权利要求8所述的集成电路芯片，其特征在于，所述熔丝的宽度小于所述第一导电层的宽度。
10.如权利要求8所述的集成电路芯片，其特征在于，所述熔丝的厚度小于所述第一导电层的厚度。
11.如权利要求1～10任一项所述的集成电路芯片，其特征在于，所述集成电路芯片还包括：
钝化层，位于所述第一导电层远离衬底的一侧。