一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置的制作方法

文档序号:18341623发布日期:2019-08-03 16:17阅读:329来源:国知局
一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置的制作方法

本实用新型涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置。



背景技术:

太阳能发电可持续、无污染,作为一种绿色能源,日益受到重视。硅片脱胶是光伏制造技术领域中很重要的环节。

在光伏行业脱胶工序基本都是人工操作完成,存在效率低、合格率低、碎片率高等问题,无法满足快速发展的光伏行业,为了降低硅片在脱胶过程中的高碎片率,各光伏企业分别选择在硅片中插挡板方式来解决硅片脱胶过程中的碎片问题。

常用的插挡片方式是挡片前端和后端各有一个圆形插孔,操作方法是先将挡片前端插孔穿过硅片缝隙插进对面的圆形柱子,再将挡片尾端圆形插孔插进近端圆形柱子,这种方法存在严重不足,因为硅片脱胶后硅片会倾斜压住挡片,挡片受硅片挤压受力,挡片两端的圆形插孔和圆柱支架经受不住压力会自然随硅片倾斜,失去了阻挡硅片倾斜碎片的功能。

所以,如何提供一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置,解决现有硅片脱胶碎片率较高的问题,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型提供了一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置,解决现有技术中存在的问题,具体方案如下:

一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置,包括支架本体10,所述支架本体10 的中部对称设有上圆柱支架11,所述支架本体10的下放对称设有下圆柱支架 12,在所述对称设置的上圆柱支架11的左上方对称设有槽型轨道20,所述槽型轨道20上设有多个卡口21。

具体的,所述卡口21截面形状为矩形、V型或者梯形。

具体的,所述槽型轨道20截面为角铁,所述卡口21设置在所述槽型轨道 20的向上的侧壁上,且占据所述槽型轨道20侧壁高度的2/3。

具体的,所述多个卡口21之间的距离d为4mm。

具体的,所述角铁的壁厚3-4mm。

具体的,在所述槽型轨道20上还设有活动的挡片30。

具体的,所述挡片30设有3个。

本实用新型提供的防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置,增加设置了槽型轨道,槽型轨道上设置了防止侧翻倒斜的卡口装置,使用时,这样卡口装置会将挡片死死卡住,硅片脱胶后发生侧倒靠住挡片,挡片也不会移动位置,这样有效发挥挡片作用,保护好硅片侧翻倒斜造成的硅片损失。具有操作方便、节省工装成本,提高工装效率的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型局部主视示意图;

图2为本实用新型俯视示意图;

图3为本实用新型左侧示意图;

图4为槽型轨道示意图;

图中:10、支架本体 11、上圆柱支架 12、下圆柱支架 20、槽型轨道 21、卡口 30、挡片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

图1和图2分别为本实用新型的主视图和俯视图,图3为本实用新型左侧示意图,图4为槽型轨道示意图,参照图1-4所示,

本实用新型请求保护一种防止脱胶后硅片侧翻倒斜装置,包括支架本体 10,所述支架本体10的中部对称设有上圆柱支架11,所述支架本体10的下放对称设有下圆柱支架12,在所述对称设置的上圆柱支架11的左上方对称设有槽型轨道20,所述槽型轨道20上设有多个卡口21。

具体的,所述卡口21截面形状为矩形、V型或者梯形。

具体的,所述槽型轨道20截面为角铁,所述卡口21设置在所述槽型轨道 20的向上的侧壁上,且占据所述槽型轨道20侧壁高度的2/3。

具体的,所述多个卡口21之间的距离d为4mm。

具体的,所述角铁的壁厚3-4mm。

具体的,在所述槽型轨道20上还设有活动的挡片30,可以进一步保证脱胶后的硅棒分开隔断,最大限度减少破损。

具体的,所述挡片30设有3个。

使用时,将硅切好的硅棒架在支架本体10上,硅棒的大缝隙对准槽型卡口21,用挡片30对准卡口21与硅片缝隙插稳固,通过乳酸加热硅片与树脂板脱离,硅片两侧靠在上圆柱支架11防止硅片掉落脱胶工装,取片时用手将硅片从底部下圆柱支架11下方托起完成取片工作。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。

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