一种高密度IDF预切筋引线框架结构的制作方法

本实用新型涉及一种高密度IDF预切筋引线框架结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术：

现有TO-251/252产品，由于受限于LF厚度和产品脚间距，在设计多排结构时存在多种局限性：

1、多排无IDF(对插)设计：其单元结构同向排列，限制其产品密度；

2、多排IDF(对插)设计：其单元结构由外引脚、内引脚、中筋脚和基岛组成，外引脚作为封装体上外露的管脚部分，基岛作为用来固定芯片的载体，中筋脚与基岛相连并对基岛提供支撑，内引脚与芯片间在焊接引线之后，将电路连接导通。

由两个独立的封装阵列单元通过旋转衔接组成交叉对称单元，其是用两个独立的封装阵列单元以对称形式旋转180°，并将封装窗口单元的外引脚采用互补形式交叉拼接，交叉对称单元的外引脚、中筋脚之间通过中筋相连。

中筋起着将单个单元结构的外引脚和中筋脚连接固定的作用，并连接至整个封装阵列单元。

如图1所示，按照常规IDF设计的TO-252，冲压间隙空间比较小，在切除中筋的时候，冲压间隙限制了刀片宽度的设计，会造成刀片容易断裂；其次，根据常规IDF设计的TO-252，其管脚间隙远小于引线框管脚厚度，加工难度高，量产风险大；最后，在切除中筋的时候还会造成外引脚底部有露铜。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种高密度IDF预切筋引线框架结构，它能够解决现有TO-251/252多排产品密度不高、加工难度大的技术问题。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种高密度IDF预切筋引线框架结构，它包括一个或多个交叉对称单元，每个交叉对称单元由两个独立的封装阵列单元通过旋转衔接而成，每个封装阵列单元由多个并排布置的封装单元组成，所述封装单元包括基岛、内引脚、外引脚和中筋脚，所述封装单元的外引脚与其交叉对称单元中对应的另一个封装单元的外引脚交错布置且不相连接，所述封装单元的中筋脚与其交叉对称单元中对应的另一个封装单元的中筋脚交错布置且不相连接或通过横向布置的连接筋相连接。

所述封装单元的外引脚和中筋脚之间设置有中筋，所述外引脚和中筋脚与中筋垂直相连。

所述连接筋有多条。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

1、本实用新型IDF设计可以实现引线框架密度的大幅提升；

2、本实用新型让位设计解决了现有TO-251/252多排产品因冲压间隙所限制带来的刀片设计宽度过窄的问题，提高了刀片的强度和寿命，减少了切筋模具的设计难度；

3、本实用新型管脚选择与中筋不相连，在产品电镀后再切筋的时候，不会造成外引脚底部有露铜。

附图说明

图1为现有的TO-252按照常规IDF设计的引线框架结构的示意图。

图2为本实用新型一种高密度IDF预切筋引线框架结构结构的示意图。

图3为图2中同一交叉对称单元中封装单元配合关系实施例1的示意图。

图4为图2中同一交叉对称单元中封装单元配合关系实施例2的示意图。

图5为图2中同一交叉对称单元中封装单元配合关系实施例3的示意图。

其中：

交叉对称单元 1

封装阵列单元 2

封装单元 3

基岛 31

内引脚 32

外引脚 33

中筋脚 34

中筋 4

连接筋 5。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：

如图2、图3所示，本实施例中的一种高密度IDF预切筋引线框架结构，它包括一个或多个交叉对称单元1，每个交叉对称单元1由两个独立的封装阵列单元2通过旋转衔接而成，每个封装阵列单元2由多个并排布置的封装单元3组成，所述封装单元3包括基岛31、内引脚32、外引脚33和中筋脚34，外引脚33作为封装体上外露的管脚部分，基岛31作为固定芯片的载体，中筋脚34与基岛31相连并对基岛31提供支撑，内引脚32与芯片之间通过焊线电性连接，外引脚33与内引脚32相连；

所述封装单元3的外引脚33和中筋脚34之间设置有中筋4，所述外引脚33和中筋脚34与中筋4垂直相连，所述中筋4起着将单个单元结构的外引脚33和中筋脚34连接固定的作用，并将单个单元结构连接至整个封装阵列单元2；所述交叉对称单元1是用两个独立的封装阵列单元2以对称形式旋转180°，并将封装单元3的外引脚33采用互补形式交叉拼接；

所述封装单元3的外引脚33与其交叉对称单元中对应的另一个封装单元3的外引脚33交错布置且不相连接，所述封装单元3的中筋脚34与其交叉对称单元中对应的另一个封装单元3的中筋脚34交错布置且不相连接；

实施例2：

如图4所示，实施例2与实施例1的区别在于：所述封装单元3的中筋脚34与其交叉对称单元中对应的另一个封装单元3的中筋脚34交错布置且通过横向布置的连接筋5相连接；

实施例3：

如图5所示，实施例3与实施例2的区别在于：横向布置的连接筋5有多条。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。