一种消除短波蓝光的LED封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种消除短波蓝光的LED封装结构，应用在LED照明领域。

背景技术：

蓝光是对人眼伤害最大的一种光谱。目前，蓝害问题已被照明行业所熟知，封装厂家在想尽办法降低照明灯具的蓝光危害。然而，目前的LED照明灯具多是通过蓝光芯片激发至少含有黄色荧光粉的粉体材料发白光，无法从源头上消除蓝光，即出光在光谱测试中，至少有相当大一部份光谱是蓝光光谱。因此，提供一种能消除出光中蓝光的LED封装结构己成为当务之亟。

技术实现要素：

为了克服现有LED封装结构无法消除蓝光的缺点，本实用新型提供一种消除短波蓝光的LED封装结构，通过在蓝光LED芯片和至少混有YAG荧光粉的胶水层(第二胶水层)之间增设混有发射波长480-510nm粉体的胶水层(第一胶水层)，先将蓝光LED芯片发出的光的波峰变成480-510nm，再其去激发YAG荧光粉发光，从而使得最终发出的光中不含有蓝光成份。

本实用新型的技术方案如下：

一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置、多个蓝光LED芯片、第一胶水层以及第二胶水层，各蓝光LED芯片间隔固定在支撑装置上，该各蓝光LED芯片间相互电连接；第一胶水层为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层填充在各蓝光LED芯片的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片表面，且覆盖各蓝光LED芯片表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层覆盖于第一胶水层表面。

本申请的消除短波蓝光的LED封装结构通过在发光光源(蓝光LED芯片)和转化介质(至少混有YAG荧光粉的胶水层)之间增设混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，即第一胶水层。先将发光光源发出的发射波长420-470nm蓝光的主波波峰进行迁移，迁移到480-510nm(现有市面上没有发射波长480-510nm的LED芯片)，然后进行二次激，即用其去激发YAG荧光粉发光，这样最终获得的白光的蓝光光谱成份大幅下降，基本实现了消除短波蓝光的效果。采用本申请的消除短波蓝光的LED封装结构光源可用于对品质要求较高的灯具，如台灯、办公室照明灯具、商业照明灯具等。

所述多个蓝光LED芯片为串联、并联或串并联混合方式相连接。

可根据需要选择所需的蓝光LED芯片的连接方式。

所述支撑装置为基板或支架。

优选的支撑装置材料易得。

所述基板为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、铝基板或铜基板，所述支架为PPA支架或EMC支架。

优选的基板和支架种类易得，成本低。

所述各蓝光LED芯片为正装蓝光LED芯片、倒装蓝光LED芯片或垂直封装蓝光LED芯片。

可根据需要选择所需封装种类的蓝光LED芯片。

各蓝光LED芯片间通过金属线相互电连接，或通过焊接在印制于基板上的电路实现相互电连接。

可根据需要选择所需蓝光LED芯片的连接方式。

一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置、多个蓝光LED芯片、第一胶水层以及第二胶水层，各蓝光LED芯片间隔固定在支撑装置上，该各蓝光LED芯片间相互电连接；第一胶水层为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层填充在各蓝光LED芯片的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片表面，且覆盖各蓝光LED芯片表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层为至少混有YAG荧光粉的胶片，该第二胶水层与第一胶水层表面的间距≥0.01mm。

一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置、多个蓝光LED芯片、第一胶水层以及第二胶水层，各蓝光LED芯片间隔固定在支撑装置上，该各蓝光LED芯片间相互电连接；第一胶水层为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层填充在各蓝光LED芯片的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片表面，且覆盖各蓝光LED芯片表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层包括透明材料层以及覆盖在该透明材料层外表面上的至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层与第一胶水层表面的间距≥0.01mm。

本申请的消除短波蓝光的LED封装结构通过在发光光源(蓝光LED芯片)和转化介质(至少混有YAG荧光粉的胶水层)之间增设混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，即第一胶水层。先将发光光源发出的发射波长420-470nm蓝光的主波波峰进行迁移，迁移到480-510nm(现有市面上没有发射波长480-510nm的LED芯片)，然后进行二次激，即用其去激发YAG荧光粉发光，这样最终获得的白光的蓝光光谱成份大幅下降，基本实现了消除短波蓝光的效果。且优选第二胶水层与第一胶水层保持一定间距的远程激发方法，可以有效避免光色混杂，造成出光颜色不纯的问题。

与现有技术相比，本实用新型申请具有以下优点：

1)本申请的消除短波蓝光的LED封装结构通过在蓝光LED芯片和至少混有YAG荧光粉的胶水层之间增设混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，先将蓝光LED芯片发出的光的波峰变成480-510nm，再二次激发YAG荧光粉发光，达到取出蓝光的效果；

2)可根据具体需要选择具体蓝光LED芯片的封装种类、连接方式等。

附图说明

图1是本实用新型所述的消除短波蓝光的LED封装结构实施例1-6的剖视图；

图2是本实用新型所述的消除短波蓝光的LED封装结构实施例7的剖视图；

图3是本实用新型所述的消除短波蓝光的LED封装结构实施例8的剖视图。

标号说明：

支撑装置1、蓝光LED芯片2、第一胶水层3、第二胶水层4、透明材料层4-1、胶水层4-2。

具体实施方式

下面结合说明书附图1-3对本实用新型的技术方案进行详细说明。

实施例1

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

实施例2

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

所述多个蓝光LED芯片2可以为串联、并联或串并联混合方式相连接。

实施例3

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

所述多个蓝光LED芯片2可以为串联、并联或串并联混合方式相连接。

所述支撑装置1可以为基板或支架。

实施例4

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

所述多个蓝光LED芯片2可以为串联、并联或串并联混合方式相连接。

所述支撑装置1可以为基板或支架。

所述基板可以为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、铝基板或铜基板，所述支架可以为PPA支架或EMC支架。

实施例5

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

所述多个蓝光LED芯片2可以为串联、并联或串并联混合方式相连接。

所述支撑装置1可以为基板或支架。

所述基板可以为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、铝基板或铜基板，所述支架可以为PPA支架或EMC支架。

所述各蓝光LED芯片2可以为正装蓝光LED芯片、倒装蓝光LED芯片或垂直封装蓝光LED芯片。

实施例6

如图1所示，本实用新型所述的一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4覆盖于第一胶水层3表面。

所述多个蓝光LED芯片2可以为串联、并联或串并联混合方式相连接。

所述支撑装置1可以为基板或支架。

所述基板可以为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、铝基板或铜基板，所述支架可以为PPA支架或EMC支架。

所述各蓝光LED芯片2可以为正装蓝光LED芯片、倒装蓝光LED芯片或垂直封装蓝光LED芯片。

各蓝光LED芯片2间通过金属线相互电连接，或通过焊接在印制于基板上的电路实现相互电连接。

实施例7

一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互电连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，且覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4为至少混有YAG荧光粉的胶片，该第二胶水层4与第一胶水层3表面的间距≥0.01mm。

实施例8

一种消除短波蓝光的LED封装结构，包括支撑装置1、多个蓝光LED芯片2、第一胶水层3以及第二胶水层4，各蓝光LED芯片2间隔固定在支撑装置1上，该各蓝光LED芯片2间相互连接；第一胶水层3为混有发射波长480-510nm粉体的胶水层，该第一胶水层3填充在各蓝光LED芯片2的间隙间且覆盖于各蓝光LED芯片2表面，该覆盖各蓝光LED芯片2表面的厚度≥0.01mm；第二胶水层4包括透明材料层以及覆盖在该透明材料层表面上的至少混有YAG荧光粉的胶水层，该第二胶水层4与第一胶水层3表面的间距≥0.01mm。

本实用新型所述的消除短波蓝光的LED封装结构并不只仅仅局限于上述实施例，凡是依据本实用新型原理的任何改进或替换，均应在本实用新型的保护范围之内。