AMOLED补偿电路的电容结构的制作方法

本实用新型涉及amoled技术领域，特别涉及一种amoled补偿电路的电容结构。

背景技术：

现有有源矩阵有机发光二极体(amoled)显示为保证画质的均一性，显示区域需设置驱动补偿电路。随着分辨率的提升，亚像素(sub-pixel)尺寸不断缩小，如何优化补偿电路器件设计尺寸、电路排布将尤为重要。传统补偿电路中sub-pixel内占据主要空间的是电容。随着画质品味提升的需求，补偿电路会更复杂，在相同sub-pixel尺寸下需塞入更多的薄膜场效应晶体管(tft)。

因此，有必要提供一种能够优化电容设计，且能够同时均衡电容设计尺寸需求。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种amoled补偿电路的电容结构，降低电容绝缘厚度，达到提升补偿电路电容量的同时缩小电容设计需求尺寸。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的第一种技术方案为：

一种amoled补偿电路的电容结构，包括从下往上依次设置的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层；所述电容结构的电容间距等于第一绝缘层的厚度。

进一步的，所述半导体层的氧化物介质为igzo。

进一步的，所述半导体层的厚度范围为25nm-70nm。

进一步的，还包括设置在第二金属层表面的第三绝缘层。

本实用新型的有益效果在于：在不增加制程的前提下，利用氧化物半导体层(例如：igzo)作为蚀刻阻挡层，去除现有补偿电路电容绝缘层中的第二绝缘层膜层，在电容区域形成半导体层与第二金属层直接搭接的图案作为上电极，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率amoled显示技术。

附图说明

图1为一种amoled补偿电路的电容结构的示意图；

标号说明：

1、玻璃层；2、第一金属层；3、第一绝缘层；4、半导体层；5、第二绝缘层；6、第二金属层。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本实用新型最关键的构思在于：通过在电容区域形成半导体层与第二金属层直接搭接的图案作为上电极，进而减小电容绝缘层的厚度，达到提升补偿电路电容量和缩小电容设计需求尺寸。

请参照图1，本实用新型提供的一种技术方案：

一种amoled补偿电路的电容结构，包括从下往上依次设置的玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层；所述电容结构的电容间距等于第一绝缘层的厚度。

从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：在不增加制程的前提下，利用氧化物半导体层(例如：igzo)作为蚀刻阻挡层，去除现有补偿电路电容绝缘层中的第二绝缘层膜层，在电容区域形成半导体层与第二金属层直接搭接的图案作为上电极，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率amoled显示技术。

进一步的，所述半导体层的氧化物介质为igzo。

由上述描述可知，igzo是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率高，可以大大提高场效应晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率。

进一步的，所述半导体层的厚度范围为25nm-70nm。

由上述描述可知，半导体层作为蚀刻的阻挡层，将半导体层的厚度范围设置为，其蚀刻阻挡的效果更好。

进一步的，还包括设置在第二金属层表面的第三绝缘层。

由上述描述可知，通过形成第三绝缘层，能够有利于形成更稳定的电容结构。

请参照图1，本实用新型的实施例一为：

一种amoled补偿电路的电容结构，包括从下往上依次设置的玻璃层1、第一金属层2、第一绝缘层3、半导体层4、第二绝缘层5和第二金属层6，所述半导体层4的氧化物介质为igzo。

所述半导体层4作为蚀刻阻挡层，其厚度下限受绝缘层蚀刻需求限制，要求绝缘层过孔蚀刻开后半导体层4仍有残余厚度，按照所述第一绝缘层3的厚度为200nm和第二绝缘层5的厚度为100nm，综合半导体tft器件特性需求，则半导体层厚度下限需求为25nm；若半导体层过厚，会导致无法将电容区域半导体层全部转化为半导体特性，其半导体特性将影响电容值的提升，再结合半导体tft器件特性需求，上限设定为70nm，故所述半导体层4的厚度范围为25nm-70nm。其中优选为35nm。

还包括设置在第二金属层6表面的第三绝缘层。

所述电容结构的电容间距等于第一绝缘层3的厚度。

所述第一金属层2作为补偿电容的下电极，所述半导体层4和所述第二金属层6直接搭接的图案作为补偿电容的上电极。

具体实施例如下：

现有技术方案补偿电容由第一绝缘层3和第二绝缘层5的厚度定义；

根据电容量公式：cox＝εs/4πkd，其中，cox为电容量，s为交叠面积，ε和k均为常数，d为补偿电容上下电极的间距；

d＝d1+d2，其中d1为第一绝缘层3的厚度，d2为第二绝缘层5的厚度；

而本技术方案补偿电容由第一绝缘层3的厚度定义；

即d＝d1，其中d为补偿电容上下电极的间距，d1为第一绝缘层3的厚度；

以现有制程和为例，本技术方案优势为：

(1)相同电容面积，电容量提升50％；

(2)相同电容量，设计尺寸减小33.33％。

综上所述，本实用新型提供的一种amoled补偿电路的电容结构，在不增加制程的前提下，利用氧化物半导体层(例如：igzo)作为蚀刻阻挡层，去除现有补偿电路电容绝缘层中的第二绝缘层膜层，在电容区域形成半导体层与第二金属层直接搭接的图案作为上电极，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率amoled显示技术。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。