技术总结
本实用新型提供一种半导体结构，半导体结构包括：半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的沟槽；位于所述沟槽的底部及侧壁上的氮掺杂氧化硅层；填充于沟槽中的栅极金属层，栅极金属层的顶端低于半导体衬底的上表面。通过于半导体衬底的沟槽上设置氮掺杂氧化硅层，从而提高栅极绝缘层中的氮含量，使氮掺杂更均匀，从而在保证晶体管栅极结构性能的情况下，有效提高抗掺杂离子在栅极结构中的扩散问题，降低了栅极结构的漏电流，从而提高晶体管的性能。
技术研发人员：张黎
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.08.06