技术总结
本实用新型公开了一种改进型平面MOS器件，该器件通过在同一个单胞内设置两个P型阱区，使得相邻两个单胞的P型阱区能够形成交叉P型阱区，使得掺杂有P型阱区的部分底部趋于形成一个平面，而不是传统的单独的P型阱区形成的一个个柱状结；通过优化体区注入形貌，采取两次P型阱区注入使得P型阱区底部与外延层形成平面结；其结构新颖，提升了平面MOS器件的击穿电压，提升器件性能；整个该器件的制作工艺简单，无需增加额外的制造成本。
技术研发人员：袁力鹏;徐吉程;范玮
受保护的技术使用者：华羿微电子股份有限公司
技术研发日：2018.11.27
技术公布日：2019.06.25