一种高频双极化辐射单元的制作方法

文档序号:18048923发布日期:2019-06-29 01:17阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型涉及一种高频双极化辐射单元,包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的两个极化正交的半波振子以及设置在介质基板背面的支撑结构,每个半波振子包括两个关于所述介质基板正面的中心对称的振子臂,相邻的两个振子臂之间具有缝隙;其中一个半波振子的两个振子臂的相靠近的一端之间设有第一馈电片,另外一个半波振子的两个振子臂的相靠近的一端之间设有第二馈电片,所述第一馈电片和第二馈电片呈正交布置但两者互不接触,第一馈电片和第二馈电片分别与所述支撑结构连接;所述介质基板背面的中心位置处设有耦合片,所述耦合片与所述两个半波振子耦合连接。本实用新型尺寸小,并具有较好的驻波比、隔离度等电气性能指标。

技术研发人员:唐欣;蔡贵鸿;黄勇;贺亮;刘伟强
受保护的技术使用者:深圳国人通信股份有限公司
技术研发日:2018.12.19
技术公布日:2019.06.28

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